Low-Temperature Formation of Poly-Si_<1-x>Ge_x (x : 0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
Low-Temperature Formation of Poly-Si_<1-x>Ge_x (x : 0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
复制标题
Au介导横向结晶在SiO_2上低温形成Poly-Si_<1-x>Ge_x (x : 0-1)
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Kanno 他
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Sadoh;et al.;H.Kanno 他;T.Sadoh 他;H.Kanno 他
通过聚焦离子束对 SiO2 进行剂量依赖性蚀刻选择性
影响因子：
1.5
作者：
T. Sadoh;H. Eguchi;A. Kenjo;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao