Function synthesis algorithm based on RTD-based three-variable universal logic gates
Function synthesis algorithm based on RTD-based three-variable universal logic gates
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基于RTD的三变量通用逻辑门的函数综合算法
DOI：
10.1631/fitee.1601730
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发表时间：
2017-12
影响因子：
3
通讯作者：
Congyuan Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Maoqun Yao;Kai Yang;Jizhong Shen;Congyuan Xu
与互补金属氧化物半导体（CMOS）相比，共振隧穿器件（RTD）具有更优的性能；它是下一代集成电路器件最有希望的候选者。通用逻辑门是一种重要的单元电路。
Compared with complementary metal–oxide semiconductor (CMOS), the resonant tunneling device (RTD) has better performances; it is the most promising candidate for next-generation integrated circuit devices. The universal logic gate is an important unit cir
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影响因子：
--
作者：
Valeriu Beiu;J. Quintana;M. Avedillo
通讯作者：
Valeriu Beiu;J. Quintana;M. Avedillo
DOI：
--
发表时间：
2010-06
期刊：
Proceedings of the 17th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems - MIXDES 2010
影响因子：
--
作者：
E. Hrynkiewicz;S. Kolodzinski
通讯作者：
E. Hrynkiewicz;S. Kolodzinski
影响因子：
5.4
作者：
B. Falkowski;S. Kannurao
通讯作者：
B. Falkowski;S. Kannurao
DOI：
10.1049/ip-cdt:20020405
发表时间：
2002-12
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Ngwira;P. Tshabalala
通讯作者：
S. Ngwira;P. Tshabalala
DOI：
10.1109/43.863648
发表时间：
2000-09
期刊：
IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst.
影响因子：
--
作者：
C. Files;M. Perkowski
通讯作者：
C. Files;M. Perkowski