Incorporation of carbon on a (11¯01) facet of GaN by MOVPE
Incorporation of carbon on a (11¯01) facet of GaN by MOVPE
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通过 MOVPE 将碳掺入 GaN 的 (11´01) 面上
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2005.07.021
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发表时间：
2005
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Koide;T. Hikosaka;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Appl.Phys.Lett. 84・23
影响因子：
--
作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
通讯作者：
T.Hikosaka