Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7°off-axis (001)Si substrate
Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7°off-axis (001)Si substrate
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在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hikosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
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图案化 (111) 和 (001) Si 衬底上 GaN 微结构的选择性区域生长
影响因子：
1.8
作者：
Y. Honda;Y. Kawaguchi;Y. Ohtake;Shigeyasu Tanaka;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
(0 0 0 1)GaN/AlGaN/(1 1 1)Si 异质结构的光电流光谱
影响因子：
3.3
作者：
Y. Kuroiwa;Y. Honda;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
GaN 模板化 (111) Si 衬底上的 GaN 的 HVPE 生长
DOI：
10.1002/pssc.200390001
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Honda;T. Ishikawa;Y. Nishimura;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
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影响因子：
4
作者：
S. Keller;R. Vetury;G. Parish;S. Denbaars;U. Mishra
通讯作者：
U. Mishra
S.Tripathy：“通过气源分子束外延在 C、A、R 和 M 平面蓝宝石衬底上生长的 GaN 层的光学特性”J.Appl.Phys..（出版中）。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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