Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Hf-Al-O/Si field-effect-transistor with long retention using unsaturated ferroelectric polarization switching
Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Hf-Al-O/Si field-effect-transistor with long retention using unsaturated ferroelectric polarization switching
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使用不饱和铁电极化开关实现长保持力的 Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Hf-Al-O/Si 场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mitsue Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shigeki Sakai;Rajangam Ilangovan;Mitsue Takahashi
铁电栅极 FET 存储器的外延结构 SrBi2Ta2O9<116> /SrTiO3<011> /Ce0.12Zr0.88O2<001> /Si<001>
影响因子：
0.7
作者：
S. Migita;K. Sakamaki;H. Ota;S. Xiong;Y. Tarui;S. Sakai
通讯作者：
S. Sakai