Influence of transverse fields on domain wall pinning in ferromagnetic nanostripes
Influence of transverse fields on domain wall pinning in ferromagnetic nanostripes
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横向场对铁磁纳米带中畴壁钉扎的影响
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Seidel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Glathe;U. Hübner;R. Mattheis;P. Seidel
我们报道了一个实验研究处理的影响，在铁磁纳米条纹的畴壁（DW）钉扎的面内横向场。我们分析了几种制造诱导钉扎位置的钉扎几率和脱钉场。对于所有的测量报告在这里，脱钉场随横向场的增加而减小，独立于实际的畴壁类型和钉扎位点的形状。对于弱钉扎位置，钉扎几率随横向场的增大而减小。较强的钉扎网站可以是活跃的大字段范围内，并显示出复杂的钉扎概率依赖于所施加的横向场。不同畴壁类型的出现以及横向场对畴壁动力学的影响可以解释这种行为。
We report an experimental study dealing with the influence of in-plane transverse fields on the domain wall (DW) pinning in ferromagnetic nanostripes. We analyzed the pinning probability and depinning fields for several fabrication induced pinning sites. For all measurements reported here, the depinning field decreases with increasing transverse field independently from the actual domain wall type and the shape of the pinning site. The pinning probability decreases with increasing transverse fields for weak pinning sites. Stronger pinning sites can be active for large field ranges and show a complex dependence of the pinning probability on the applied transverse field. The occurrence of different domain wall types as well as the influence of a transverse field on the domain wall dynamics can explain this behavior.
影响因子：
4
作者：
Atkinson, D.;Eastwood, D. S.;Bogart, L. K.
通讯作者：
Bogart, L. K.
影响因子：
3.7
作者：
Bogart, L. K.;Atkinson, D.;McVitie, S.
通讯作者：
McVitie, S.