Seamless fill of deep trenches by chemical vapor deposition: Use of a molecular growth inhibitor to eliminate pinch-off
Seamless fill of deep trenches by chemical vapor deposition: Use of a molecular growth inhibitor to eliminate pinch-off
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通过化学气相沉积无缝填充深沟槽：使用分子生长抑制剂消除夹断
DOI：
10.1116/1.5068684
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发表时间：
2019
影响因子：
2.9
通讯作者：
Abelson, John R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Talukdar, Tushar K.;Girolami, Gregory S.;Abelson, John R.
硼氢化物键合前体化学气相沉积金属二硼化物和金属氧化物薄膜
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
Yu Yang
通讯作者：
Yu Yang