A high-performance nanobridged MoO3 UV photodetector based on nanojunctions with switching characteristics
A high-performance nanobridged MoO3 UV photodetector based on nanojunctions with switching characteristics
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基于具有开关特性的纳米结的高性能纳米桥MoO3紫外光电探测器
DOI：
10.1088/1361-6528/28/4/045202
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发表时间：
2017-01
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
Yanqin Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qinghong Zheng;Jin Huang;Haiyang Yang;Yanqin Chen
通过在数字电极间原位生长正交MoO3纳米带，制备了紫外探测器。在不同的生长条件下，相邻的纳米带之间形成了两种类型的纳米结：接触结和互穿结。uvpd的光响应机制在很大程度上取决于纳米结的类型。由接触纳米带形成的纳米结由于势垒高度随紫外光照射而变化而具有开关特性。采用触摸结构的UVPD具有噪声低、紫外灵敏度高、速度快、暗电流1.4 nA、通断比100以上、响应时间小于1 s等特点，施加电压为10 V。这种增强的性能可归因于触摸纳米结的开关特性。
Ultraviolet photodetectors (UVPDs) were fabricated via the in situ growth of orthorhombic MoO3 nanobelts among interdigital electrodes. Two types of nanojunction, touching and interpenetration, were formed between neighboring nanobelts at different growth conditions. The photoresponse mechanism of the UVPDs greatly depends on the type of nanojunction. Nanojunctions formed with touching nanobelts possess switching characteristics due to the barrier height variation along with the UV illumination. The UVPD with the touching structure exhibits low noise, high UV sensitivity and fast speed, having a dark current of 1.4 nA, an on/off ratio of over 100 and a response time of below 1 s, at an applied voltage of 10 V. The enhanced performance can be attributed to the switching characteristics of the touching nanojunction.
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