Structural Analysis of (211) 3C-SiC on (211) Si Substrates Grown by Chemical Vapor Deposition
Structural Analysis of (211) 3C-SiC on (211) Si Substrates Grown by Chemical Vapor Deposition
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化学气相沉积 (211) Si 衬底上 (211) 3C-SiC 的结构分析
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Nishino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nishiguchi;Y.Mukai;M.Nakamura;K.Nishio;T.Isshiki;S.Ohshima;S.Nishino
Si 上 GaP 的分子束外延生长
影响因子：
3.2
作者：
S. Wright;H. Kroemer;M. Inada
通讯作者：
M. Inada