Magnetotransport in p-type Ge quantum well narrow wire arrays
Magnetotransport in p-type Ge quantum well narrow wire arrays
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p型Ge量子阱窄线阵列中的磁输运
DOI：
10.1063/1.4919053
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
Newton P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Newton P
我们报告了包含 20nm p-Ge 量子阱的 SiGe 异质结构的磁输运测量，迁移率为 800 000 cm{sup 2} V{sup -1} s{sup -1}。通过干法刻蚀宽度在1.0μm到3.0μm之间的导线阵列，我们能够测量量子阱的横向耗尽厚度、内建电势和相位相干长度。尽管在 ν = 22 的填充因子下观察到了明确定义的 Shubnikov-de Haas 振荡，但傅里叶分析并未显示任何 Rashba 相关的自旋分裂。对于低于 ν = 9 的填充因子，观察到交换增强的自旋分裂。边界散射效应分析表明，孔气体的横向耗尽距离蚀刻为 0.5 ±0.1 μm锗表面。发现内建电势为 0.25±0.04V，横向传输的能垒大于空穴限制能。这些导线在 1.7K 时获得了 3.5±0.5μm 的大相位相干长度。
We report magnetotransport measurements of a SiGe heterostructure containing a 20 nm p-Ge quantum well with a mobility of 800 000 cm{sup 2} V{sup −1} s{sup −1}. By dry etching arrays of wires with widths between 1.0 μm and 3.0 μm, we were able to measure the lateral depletion thickness, built-in potential, and the phase coherence length of the quantum well. Fourier analysis does not show any Rashba related spin-splitting despite clearly defined Shubnikov-de Haas oscillations being observed up to a filling factor of ν = 22. Exchange-enhanced spin-splitting is observed for filling factors below ν = 9. An analysis of boundary scattering effects indicates lateral depletion of the hole gas by 0.5 ± 0.1 μm from the etched germanium surface. The built-in potential is found to be 0.25 ± 0.04 V, presenting an energy barrier for lateral transport greater than the hole confinement energy. A large phase coherence length of 3.5 ± 0.5 μm is obtained in these wires at 1.7 K.
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高填充因子下的量子霍尔铁磁体：磁场诱导斯托纳转变
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Piot;D. Maude;M. Henini;Z. Wasilewski;K. Friedland;R. Hey;K. Ploog;A. Toropov;R. Airey;G. Hill
通讯作者：
G. Hill
影响因子：
1.7
作者：
ANDO, T;UEMURA, Y
通讯作者：
UEMURA, Y
影响因子：
3.7
作者：
Loren, Eric J.;Rioux, J.;Smirl, Arthur L.
通讯作者：
Smirl, Arthur L.
DOI：
10.1109/jproc.2003.811799
发表时间：
2003
期刊：
International Conference onIndium Phosphide and Related Materials, 2003.
影响因子：
--
作者：
E. Yablonovitch;Hong;H. Kosaka;H. Robinson;D. Rao;T. Szkopek
通讯作者：
T. Szkopek
影响因子：
4
作者：
Dobbie, A.;Myronov, M.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.