Defects in epitaxial ScGaN: Dislocations, stacking faults, and cubic inclusions
Defects in epitaxial ScGaN: Dislocations, stacking faults, and cubic inclusions
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外延 ScGaN 中的缺陷：位错、堆垛层错和立方夹杂物
DOI：
10.1063/1.4868538
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
Knoll S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Knoll S
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影响因子：
1.9
作者：
Kneissl, M.;Kolbe, T.;Weyers, M.
通讯作者：
Weyers, M.
影响因子：
3.2
作者：
M. Moram;Z. Barber;C. Humphreys;T. Joyce;P. Chalker
通讯作者：
M. Moram;Z. Barber;C. Humphreys;T. Joyce;P. Chalker
影响因子：
3.2
作者：
Siyuan Zhang;D. Holec;W. Fu;C. Humphreys;M. Moram
通讯作者：
Siyuan Zhang;D. Holec;W. Fu;C. Humphreys;M. Moram
影响因子：
1.9
作者：
A. Bonanni
通讯作者：
A. Bonanni
外延ScGaN薄膜的生长、微观结构和形貌
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. M. Knoll;Siyuan Zhang;T. Joyce;M. Kappers;C. Humphreys;M. Moram
通讯作者：
M. Moram