Measurement of Total Ionizing Dose Effects on SiC Trench MOSFETs by Gamma-ray and Alpha-particle Irradiation
Measurement of Total Ionizing Dose Effects on SiC Trench MOSFETs by Gamma-ray and Alpha-particle Irradiation
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通过伽马射线和阿尔法粒子辐照测量 SiC 沟槽 MOSFET 的总电离剂量效应
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Mizushima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Furuta;K. Kobayashi;and M. Mizushima
CoolSiC 沟槽 MOSFET 将 SiC 性能与硅坚固性相结合
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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作者：
D. Peters;T. Basler;B. Zippelius;T. Aichinger;W. Bergner;Romain;Estève;Daniel Kueck;R. Siemieniec
通讯作者：
R. Siemieniec