Epitaxial Growth of Room-Temperature Ferromagnetic MnAs Segments on GaAs Nanowires via Sequential Crystallization.
Epitaxial Growth of Room-Temperature Ferromagnetic MnAs Segments on GaAs Nanowires via Sequential Crystallization.
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通过顺序结晶在 GaAs 纳米线上外延生长室温铁磁 MnAs 段。
DOI：
10.1021/acs.nanolett.5b03658
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
D. Bougeard
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Hubmann;B. Bauer;H. S. Körner;S. Furthmeier;M. Buchner;G. Bayreuther;F. Dirnberger;D. Schuh;C. Back;J. Zweck;E. Reiger;D. Bougeard
我们研究了在分子束外延生长的自催化GaAs纳米线中掺入锰。我们的研究表明，锰积聚在液态Ga液滴中，并且没有观察到明显掺入纳米线中。使用顺序结晶的液滴，然后，我们证明了一个确定性和外延生长的MnAs段在纳米线尖端。这种技术可以允许多个室温铁磁段无缝集成到GaAs纳米线与高结晶质量。
We investigate the incorporation of manganese into self-catalyzed GaAs nanowires grown in molecular beam epitaxy. Our study reveals that Mn accumulates in the liquid Ga droplet and that no significant incorporation into the nanowire is observed. Using a sequential crystallization of the droplet, we then demonstrate a deterministic and epitaxial growth of MnAs segments at the nanowire tip. This technique may allow the seamless integration of multiple room-temperature ferromagnetic segments into GaAs nanowires with high-crystalline quality.
影响因子：
3.7
作者：
Cirlin, G. E.;Dubrovskii, V. G.;Zeze, Dagou
通讯作者：
Zeze, Dagou
影响因子：
10.8
作者：
Rudolph, Andreas;Soda, Marcello;Reiger, Elisabeth
通讯作者：
Reiger, Elisabeth