Critical Aspects of High Temperature MOCVD Growth of AlN Epilayers on 6H-SiC Substrates
Critical Aspects of High Temperature MOCVD Growth of AlN Epilayers on 6H-SiC Substrates
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6H-SiC 衬底上 AlN 外延层高温 MOCVD 生长的关键问题
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Christen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Balakrishnan;N.Fujimoto;T.Kitano;A.Bandoh;M.Imura;K.Nakano;M.Iwaya;S.Kamiyama;H.Amano;I.Akasaki;T.Takagi;T.Noro;K.Shimono;T.Riemann;J.Christen
使用模板化三维相干纳米岛减少 GaN 外延层中的位错
影响因子：
4
作者：
K. Jeganathan;M. Shimizu;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura
高质量 6H-SiC (0001) 同质外延层作为 AlN 外延层生长的衬底表面
DOI：
10.1002/pssc.200461615
发表时间：
2005
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
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作者：
C. Hallin;A. Kakanakova;P. Persson;E. Janzén
通讯作者：
E. Janzén