Photostimulated near-infrared persistent luminescence as a new optical read-out from Cr³⁺-doped LiGa₅O₈.
Photostimulated near-infrared persistent luminescence as a new optical read-out from Cr³⁺-doped LiGa₅O₈.
复制标题
DOI：
10.1038/srep01554
复制
发表时间：
2013
影响因子：
4.6
通讯作者：
Pan, Zhengwei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu, Feng;Yan, Wuzhao;Chuang, Yen-Jun;Zhen, Zipeng;Xie, Jin;Pan, Zhengwei
在传统的光激励存储磷光体中，通过X射线或紫外线照射写入的光学信息通常在具有适当波长的低能量光的激励下作为可见光激励发光（PSL）信号读出。与瞬态PSL不同，本文报道了一种新的光学读出形式，近红外（NIR）光激励持续发光（PSPL），来自Cr 3+掺杂的LiGa 5 O 8 NIR持续发光材料，其表现出超过1，000 h的超长NIR持续发光。 当用可见光或NIR光重复激发紫外光（250-360 nm）预照射的LiGa 5 O 8：Cr 3+磷光体时，可以在超过1，000 h的时间内重复获得峰值在716 nm处的强PSPL信号。 LiGa 5 O 8：Cr 3+荧光粉在光信息存储、夜视监视和活体生物成像等方面具有广阔的应用前景。
In conventional photostimulable storage phosphors, the optical information written by x-ray or ultraviolet irradiation is usually read out as a visible photostimulated luminescence (PSL) signal under the stimulation of a low-energy light with appropriate wavelength. Unlike the transient PSL, here we report a new optical read-out form, photostimulated persistent luminescence (PSPL) in the near-infrared (NIR), from a Cr3+-doped LiGa5O8 NIR persistent phosphor exhibiting a super-long NIR persistent luminescence of more than 1,000 h. An intense PSPL signal peaking at 716 nm can be repeatedly obtained in a period of more than 1,000 h when an ultraviolet-light (250–360 nm) pre-irradiated LiGa5O8:Cr3+ phosphor is repeatedly stimulated with a visible light or a NIR light. The LiGa5O8:Cr3+ phosphor has promising applications in optical information storage, night-vision surveillance, and in vivo bio-imaging.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1073/pnas.0702427104
发表时间：
2007-05-29
影响因子：
11.1
作者：
de Chermont, Quentin le Masne;Chaneac, Corinne;Scherman, Daniel
通讯作者：
Scherman, Daniel
DOI：
10.1103/physrevb.3.536
发表时间：
1971-01-01
期刊：
PHYSICAL REVIEW B-SOLID STATE
影响因子：
--
作者：
ALIG, RC
通讯作者：
ALIG, RC
影响因子：
4.4
作者：
AVOURIS, P;MORGAN, TN
通讯作者：
MORGAN, TN
影响因子：
3.6
作者：
Chandra, V. K.;Chandra, B. P.
通讯作者：
Chandra, B. P.
DOI：
10.1088/0022-3719/8/22/031
发表时间：
1975-01-01
期刊：
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
影响因子：
--
作者：
SZYMCZAK, H;WARDZYNSKA, M;MYLNIKOVA, IE
通讯作者：
MYLNIKOVA, IE