T-square resistivity without Umklapp scattering in dilute metallic Bi2O2Se
T-square resistivity without Umklapp scattering in dilute metallic Bi2O2Se
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稀金属 Bi2O2Se 中无 Umklapp 散射的 T 方电阻率
DOI：
10.1038/s41467-020-17692-6
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发表时间：
2020-03
影响因子：
16.6
通讯作者：
Lin Xiao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Jialu;Wu Jing;Wang Tao;Xu Zhuokai;Wu Jifeng;Hu Wanghua;Ren Zhi;Liu Shi;Behnia Kamran;Lin Xiao
费米液体（FL）显示出二次温度（T）依赖性的电阻率。这可能是由电子-电子（e-e）散射在带间或Umklapp散射的存在下引起的。然而，稀金属SrTiO 3被发现显示T2电阻率的情况下，这两种机制。软声子作为可能的散射中心的存在引起了怀疑，T2电阻率不是由于e-e散射。在这里，我们提出的情况下，Bi 2 O2 Se，层状半导体与硬声子，这成为一个稀释的金属与一个小的单组分费米表面掺杂后。在没有Umklapp和带间散射的情况下，它显示T2电阻率远低于简并温度。我们观察到T2电阻率前因子（A）和费米能量（EF）之间的普遍标度，Kadowaki-Woods图的扩展到稀金属。我们的研究结果意味着没有一个令人满意的理解的普遍存在的e-eT 2电阻率在FL。
Fermi liquids (FLs) display a quadratic temperature (T) dependent resistivity. This can be caused by electron-electron (e-e) scattering in presence of inter-band or Umklapp scattering. However, dilute metallic SrTiO3was found to displayT2resistivity in absence of either of the two mechanisms. The presence of soft phonons as possible scattering centers raised the suspicion thatT2resistivity is not due to e-e scattering. Here, we present the case of Bi2O2Se, a layered semiconductor with hard phonons, which becomes a dilute metal with a small single-component Fermi surface upon doping. It displaysT2resistivity well below the degeneracy temperature in absence of Umklapp and inter-band scattering. We observe a universal scaling between theT2resistivity prefactor (A) and the Fermi energy (EF), an extension of the Kadowaki-Woods plot to dilute metals. Our results imply the absence of a satisfactory understanding of the ubiquity of e-eT2resistivity in FLs.
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影响因子：
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作者：
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作者：
K. Yamada;K. Yosida
通讯作者：
K. Yamada;K. Yosida
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作者：
Chen C;Wang M;Wu J;Fu H;Yang H;Tian Z;Tu T;Peng H;Sun Y;Xu X;Jiang J;Schröter NBM;Li Y;Pei D;Liu S;Ekahana SA;Yuan H;Xue J;Li G;Jia J;Liu Z;Yan B;Peng H;Chen Y
通讯作者：
Chen Y
DOI：
10.1002/3527600434.eap236
发表时间：
2003-04
期刊：
--
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--
作者：
通讯作者：
--
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作者：
P. Taylor
通讯作者：
P. Taylor