Selective synthesis and photoelectric properties of Cu3SbS4 and CuSbS2 nanocrystals
Selective synthesis and photoelectric properties of Cu3SbS4 and CuSbS2 nanocrystals
复制标题
Cu3SbS4 和 CuSbS2 纳米晶的选择性合成及其光电性能
DOI：
10.1016/j.jallcom.2016.09.307
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发表时间：
2017-02
影响因子：
6.2
通讯作者：
Ding Jia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Liang;Wu Chunyan;Li Jingjing;Ding Jia
采用溶剂热化学法可控合成了Cu-Sb-S化合物纳米晶。通过改变反应温度可以选择性地制备Cu 3SbS 4和CuSbS 2纳米晶。温度依赖性的锑从三水合酒石酸锑钾中的释放促进了Cu 3SbS 4和CuSbS 2的选择性合成。带隙为1.0 eV的Cu 3SbS 4纳米晶体和1.45 eV的CuSbS 2纳米晶体。具有这种带隙的Cu-Sb-S化合物的半导体对于太阳能电池应用是期望的。Cu 3SbS 4和CuSbS 2纳米晶均表现出明显的光电响应，表明其作为薄膜太阳能电池活性层具有潜在的应用前景。
A novel solvothermal chemical route has been developed to synthesize Cu–Sb–S compound nanocrystals in a controllable manner. Cu3SbS4and CuSbS2nanocrystals can be selectively prepared by modifying the reaction temperature. The temperature dependent release of antimony from potassium antimonyl tartrate trihydrate faciliated the selective synthesis of Cu3SbS4and CuSbS2. The bandgap is 1.0 eV for Cu3SbS4nanocrystals and 1.45 eV for CuSbS2nanocrystals. Semiconductors of Cu–Sb–S compounds with such band gaps are desirable for solar cell applications. The Cu3SbS4and CuSbS2nanocrystals both showed obvious photo-electric response, indicating their potential application as an active layer in thin-film solar cells.
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