Synthesis of highly b-oriented ZSM-5 membrane on a rough surface modified simply with TiO2 by in situ crystallization
Synthesis of highly b-oriented ZSM-5 membrane on a rough surface modified simply with TiO2 by in situ crystallization
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通过原位结晶在简单用 TiO2 修饰的粗糙表面上合成高度 b 取向的 ZSM-5 膜
DOI：
10.1016/j.micromeso.2011.12.037
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发表时间：
2012-06
影响因子：
5.2
通讯作者：
Zhang, Xiangwen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ji, Meiling;Liu, Guozhu;Chen, Chen;Wang, Li;Zhang, Xiangwen
提出了一种在粗糙表面制备高b取向ZSM-5沸石膜的简单、可靠、可重复性好的方法。该方法包括在衬底粗糙表面沉积tio2中间层，然后进行紫外线照射，然后在tio2修饰的粗糙表面上原位结晶。tio2层间复合UV照射为b取向ZSM-5晶体的生长提供了光滑、高Ti-OH密度的表面。通过比较沸石膜在Al2O3、SiO2、ZrO2和TiO2上的形貌，研究了光滑度、沸石晶相与衬底之间的分散力以及表面羟基密度对高b取向连续ZSM-5膜形成的影响。富含Ti-OH的光滑表面有利于合成溶液在载体上连续均匀地扩散，导致沸石晶体定向成核，加速生长，形成高b取向和覆盖的ZSM-5膜。
A simple, reliable and reproducible approach for the fabrication of highly b-oriented ZSM-5 zeolite membranes on rough surface is presented. The approach consists of depositing a TiO2intermediate layer on the rough surface of substrate, followed by UV irradiation, and subsequently in situ crystallization on the TiO2modified rough surface. The TiO2interlayer combined UV irradiation provides a smooth and high Ti–OH density surface for the growth of b-oriented ZSM-5 crystals. By comparing the morphology of zeolite membranes on Al2O3, SiO2, ZrO2, and TiO2, the impacts of smoothness, dispersion force between the zeolite crystal phase and substrate, and density of surface hydroxy on the formation of a highly b-oriented and continuous ZSM-5 membrane have been investigated. A smooth surface rich in Ti-OH was helpful for the continuous and uniform spread of the synthesis solution on the support, resulting in the oriented nucleation and accelerated growth of zeolite crystals, which formed the highly b-oriented and covered ZSM-5 membrane.
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影响因子：
5.2
作者：
J. Jansen;J. Koegler;H. Bekkum;H. Calis;C. M. Bleek;F. Kapteijn;J. Moulijn;E. Geus;N. V. D. Puil
通讯作者：
J. Jansen;J. Koegler;H. Bekkum;H. Calis;C. M. Bleek;F. Kapteijn;J. Moulijn;E. Geus;N. V. D. Puil
DOI：
10.1016/b978-0-12-391927-4.10024-6
发表时间：
1985
期刊：
The European Physical Journal C
影响因子：
--
作者：
J. Israelachvili
通讯作者：
J. Israelachvili
影响因子：
8.6
作者：
A. Gouzinis;M. Tsapatsis
通讯作者：
A. Gouzinis;M. Tsapatsis
影响因子：
8.6
作者：
Fazhi Zhang;and Masayoshi Fuji;Minoru Takahashi
通讯作者：
Fazhi Zhang;and Masayoshi Fuji;Minoru Takahashi
影响因子：
18.3
作者：
K. B. Yoon
通讯作者：
K. B. Yoon