Ultrahigh-quality photonic crystal cavity in GaAs.
Ultrahigh-quality photonic crystal cavity in GaAs.
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超高品质砷化镓光子晶体腔。
DOI：
10.1364/ol.31.001229
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
3.6
通讯作者：
A. Forchel
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Herrmann;T. Sünner;Tobías Hein;A. Löffler;M. Kamp;A. Forchel
研究了双异质结构的GaAs薄膜光子晶体腔。它们显示了迄今为止GaAs光子晶体腔的最高品质因数，表现出高于10（5）的品质因数。这些腔的谐振被微调的步骤小于2 nm的数字蚀刻。
Membrane-based photonic crystal GaAs cavities with a double-heterostructure design were investigated. They show the highest quality factors for GaAs photonic crystal cavities to date, exhibiting quality factors higher than 10(5). The resonances of these cavities were fine-tuned in steps smaller than 2 nm by digital etching.
影响因子：
64.8
作者：
Yoshie, T;Scherer, A;Deppe, DG
通讯作者：
Deppe, DG
影响因子：
41.2
作者：
Song, BS;Noda, S;Akahane, Y
通讯作者：
Akahane, Y