Tunable band gap in half-fluorinated bilayer graphene under biaxial strains
Tunable band gap in half-fluorinated bilayer graphene under biaxial strains
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双轴应变下半氟化双层石墨烯的可调谐带隙
DOI：
10.1016/j.commatsci.2012.06.038
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发表时间：
2012-12
影响因子：
3.3
通讯作者：
Zhu, Z. Z.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hu, C. H.;Zhang, Y.;Liu, H. Y.;Wu, S. Q.;Yang, Y.;Zhu, Z. Z.
双层石墨烯（BLG）带隙的打开和调谐对于其在纳米电子学中的应用特别重要。我们在这里提出的电子结构的两种类型的化学计量半氟化BLG（即C2Fs），以及在双轴压缩和拉伸应变。我们的研究结果表明，这两个C2Fs是半导体与大的直接带隙在其未应变的配置。在双轴压缩应变下，两种C2F的带隙都可以减小。然而，通过施加双轴拉伸应变，两个C2F都经历直接到间接的带隙转变。讨论了应变调谐带隙的电子性质。
Opening and tuning of the band gap of bilayer graphene (BLG) is of particular importance for its utilization in nanoelectronics. We presented here the electronic structures of two types of stoichiometrically half-fluorinated BLGs (i.e. C2Fs) as well as those under biaxial compressive and tensile strains. Our results reveal that both C2Fs are semiconductor with large direct band gaps in their unstrained configurations. Under biaxial compressive strains, the band gaps of both C2Fs can be reduced. However, by applying biaxial tensile strains, both C2Fs undergo a direct-to-indirect band gap transition. Electronic nature of the strain-tuned band gaps has been discussed.
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