Anomalous second ferromagnetic phase transition as a signature of spinodal decomposition in Fe-doped GeTe diluted magnetic semiconductor
Anomalous second ferromagnetic phase transition as a signature of spinodal decomposition in Fe-doped GeTe diluted magnetic semiconductor
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反常第二铁磁相变作为 Fe 掺杂 GeTe 稀磁半导体中旋节线分解的特征
DOI：
10.1063/1.3663550
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发表时间：
2011-11
影响因子：
4
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中科院分区：
文献类型：
--
作者：
研究了稀磁半导体Ge1-xFexTe薄膜的结构和磁性。常规结构分析表明，薄膜呈c轴取向，呈柱状生长，未发现Fe团簇或第二相。磁测量与理论模型相结合，揭示了两个铁磁相变。我们认为，高铁含量薄膜的第二次铁磁相变是从具有长程交换作用的铁磁相转变为具有Fe团簇之间偶极相互作用的超顺磁相，这可以看作是Ge1-xFexTe材料调幅分解的标志。
Structural and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor Ge1-xFexTe thin films are investigated. The conventional structure analysis shows c-axis orientation with columnar growth of the films and no indication of Fe clusters or second phase. Magnetic measurements combined with theory models reveal that two ferromagnetic phase transitions occur. We consider that the second ferromagnetic phase transition in high Fe content thin film is from a ferromagnetic phase with long range exchange interaction to a superparamagnetic phase with dipole interaction between Fe clusters, which can be viewed as a signature of spinodal decomposition in Ge1-xFexTe material.
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J. Huang;H. Hsu;Y. M. Hu;Chih‐Hao Lee;Yen-Chun Huang;Min-Shyong Lin
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Thomas E Quickel;V. Le;T. Brezesinski;S. Tolbert