Removal of Surface Oxide Layer from Silicon Nanocrystals by HF Vapor Etching
Removal of Surface Oxide Layer from Silicon Nanocrystals by HF Vapor Etching
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通过高频气相蚀刻去除硅纳米晶表面氧化层
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shunri Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshifumi Nakamine;Tetsuo Kodera;Ken Uchida;Shunri Oda
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