Photoluminescence Imaging vs. Transient Photoconductance Characterization at High Injection: Case of mc-Si
Photoluminescence Imaging vs. Transient Photoconductance Characterization at High Injection: Case of mc-Si
复制标题
高注入下的光致发光成像与瞬态光电导表征：多晶硅案例
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Semichaevsky, Andrey
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Semichaevsky, Andrey
通过广义速率方程解释寿命和缺陷光谱测量
DOI：
10.1007/s10854-008-9616-2
发表时间：
2008
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
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作者：
T. Hahn;S. Schmerler;S. Hahn;J. Niklas;B. Gruendig
通讯作者：
B. Gruendig
高光注入下多晶硅中的载流子传输：瞬态光电导与数值建模
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
44th IEEE-PVSC
影响因子：
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作者：
Anyanwu, Uchechi;Harris, Christian;Semichaevsky, Andrey
通讯作者：
Semichaevsky, Andrey