Microscopic Mechanism of Carbon Annihilation upon SiC Oxidation due to Phosphorous Treatment: Density-Functional Calculations Combined with Ion Mass Spectroscopy
Microscopic Mechanism of Carbon Annihilation upon SiC Oxidation due to Phosphorous Treatment: Density-Functional Calculations Combined with Ion Mass Spectroscopy
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磷处理 SiC 氧化碳湮灭的微观机制：密度泛函计算结合离子质谱
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Atsushi Oshiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuma Kobayashi;Yu-ichiro Matsushita;Takafumi Okuda;Tsunenobu Kimoto;and Atsushi Oshiyama
面向未来功率器件的 SiC/SiO2 接口的第一原理研究
DOI：
10.1109/iedm.2014.7047095
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
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作者：
K. Shiraishi;K. Chokawa;H. Shirakawa;K. Endo;M. Araidai;K. Kamiya;H. Watanabe
通讯作者：
H. Watanabe