T.Soga: "TEM characterization of GaP/Si interface grown by MOCVD" Appl.Surf.Sci.(1992)
T.Soga: "TEM characterization of GaP/Si interface grown by MOCVD" Appl.Surf.Sci.(1992)
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T.Soga：“MOCVD 生长的 GaP/Si 界面的 TEM 表征”Appl.Surf.Sci.(1992)
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
AsH3 预流在 Si 上外延生长 GaP 的初始阶段
DOI：
10.1143/jjap.29.l229
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Kohama;Y. Kadota;Y. Ohmachi
通讯作者：
Y. Ohmachi