Transient Three Dimensional Numerical Simulation of Microelectronic Semiconductor
Transient Three Dimensional Numerical Simulation of Microelectronic Semiconductor
微电子半导体瞬态三维数值模拟
批准号：
8114389
负责人：
Harold Grubin
金额：
$2.96万
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1981
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1981-10-01 至 1982-03-31
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会议论文
Workshop on Nanoscale Science and Technology for Forensics. To be Held at the Polytechnic Institute of New York University (NYU-POLY) Brooklyn, NY August, 28-29,2011.
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批准号：1148673
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项目类别：Standard Grant
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资助金额：$1.2万
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财政年份：2011
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负责人：Harold Grubin
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依托单位：
A Large Signal Nonlinear Circuit Model for Compound Semiconductor Field Effect Transistors
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批准号：8861316
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项目类别：Standard Grant
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资助金额：$5.0万
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财政年份：1989
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负责人：Harold Grubin
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依托单位：
海外基金
