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Research Initiation: Simultaneous Formation of Polycide Interconnects, Silicide Contacts, and Shallow P-N Junctions by Ion Beam Mixing and Rapid Thermal Annealing

Research Initiation: Simultaneous Formation of Polycide Interconnects, Silicide Contacts, and Shallow P-N Junctions by Ion Beam Mixing and Rapid Thermal Annealing
研究启动：通过离子束混合和快速热退火同时形成多晶硅化物互连、硅化物接触和浅 P-N 结
批准号：
8596003
负责人：
Dim-Lee Kwong
金额：
$3.6万
依托单位：
University of Notre Dame
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1986
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1986-11-30 至 1987-05-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8596003&HistoricalAwards=false
关键词：
ResearchInitiationSimultaneousFormationPolycide

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Research Initiation: Simultaneous Formation of Polycide Interconnects, Silicide Contacts, and Shallow P-N Junctions by Ion Beam Mixing and Rapid Thermal Annealing
  • 批准号：
    8404632
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $1.2万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    Dim-Lee Kwong
  • 依托单位：
    University of Notre Dame
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