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Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon (Solid State Physics)

Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon (Solid State Physics)
氢化非晶硅的电子性质（固态物理）
批准号：
8600386
负责人：
Enid Sichel
金额：
$0.0万
依托单位：
Massachusetts Institute of Technology
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1986
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1986-09-01 至 1988-02-29
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8600386&HistoricalAwards=false
关键词：
ElectronicPropertiesHydrogenatedAmorphousSilicon

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Collaborative Research: Authoring tool for a hands-on, on-line, lab curriculum for engineering technology students
  • 批准号：
    1143659
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $4.31万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    Enid Sichel
  • 依托单位：
    Five Colleges Inc
Collaborative Research: Authoring tool for a hands-on, on-line, lab curriculum for engineering technology students
  • 批准号：
    0941112
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $4.31万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    Enid Sichel
  • 依托单位：
    Massachusetts Maritime Academy
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