Inversion/Accumulation Layer Transport on InP and InGaAs

InP 和 InGaAs 上的反转/累积层传输

• 批准号: 8610098
• 负责人: Carl Wilmsen
• 金额: $ 30.07万
• 依托单位: Colorado State University
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1986-09-01 至 1990-08-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8610098&HistoricalAwards=false
• 关键词: Inversion; Accumulation; Layer; Transport; InP

The proposed research will endeavor to understand 2D transport phenomena in surface inversion and accumulation layers on InP and InGaAs. The present lack of understanding is caused both by the structural/chemical complexity of the surface region and insufficient experimental data and transport modeling of InP/InGaAs devices. The research proposed here will provide detailed transport measurements and interfacial analysis upon which realistic transport models can be founded. This will provide an increased understanding 2D transport at insulator-semiconductor interfaces and advance the development of the MOS devices on InP and InGaAs.

拟议的研究将奋进了解2D运输 InP表面的反型和积累层现象， InGaAs。 目前缺乏了解是由两个原因造成的， 表面区域的结构/化学复杂性和不足 InP/InGaAs器件的实验数据和输运模型。 的 这里提出的研究将提供详细的运输测量， 界面分析，在此基础上， 成立。 这将提供更多的了解2D运输， 绝缘体-半导体界面的研究， InP和InGaAs上的MOS器件。