Engineering Creativity Award: Point Defect Characterization in GaAs Using Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy

工程创意奖：使用正电子湮灭寿命光谱法表征 GaAs 中的点缺陷

• 批准号: 8710978
• 负责人: Phillip Jones
• 金额: $ 9万
• 依托单位: Duke University
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1987-08-15 至 1991-01-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8710978&HistoricalAwards=false
• 关键词: Engineering; Creativity; Award; Point; Defect

The research involves a study of gallium arsenide lattice by methods of positron annihilation lifetime spectroscopy. The study deals with the point defects in gallium arsenide. After the identification of these defects has been made, the presence of these defects can be followed as a function of thermal treatment as well as manufacturing techniques. Data of this type can help determine the method by which each defect is formed. This project is one supported under the Creativity Awards for Engineering Students.

这项研究涉及砷化镓晶格的研究， 正电子湮没寿命谱方法。 的 研究涉及砷化镓中的点缺陷。 后 这些缺陷的识别已经完成， 这些缺陷可以遵循作为热的函数 处理以及制造技术。 这种类型的数据 可以帮助确定每个缺陷形成的方法。 该项目是一个支持下的创意奖， 工科学生。