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Research Initiation Award: Cooper For Microelectronics Applications By Low-Temperature MOCVD (LTMOCVD) Processes
研究启动奖：Cooper 低温 MOCVD (LTMOCVD) 工艺微电子应用
基本信息
- 批准号：9010661
- 负责人：
- 金额：$ 7万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1990
- 资助国家：美国
- 起止时间：1990-07-01 至 1992-06-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
A research program for the growth, characterization and testing of copper films for applications in the new generations of electronic devices is proposed. The approach focuses on a CVD process which employs vapor precursors which dissociate at temperatures as low as 150'C. The process is "Low Temperature Metal-Organic CVD," or LTMOCVD.
提出了一项用于新一代电子器件的铜膜生长、表征和测试的研究计划。该方法侧重于CVD过程，该过程使用在低至150摄氏度的温度下分解的蒸汽前体。该过程被称为“低温金属-有机CVD”，或LTMOCVD。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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