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Research Initiation Award: Cooper For Microelectronics Applications By Low-Temperature MOCVD (LTMOCVD) Processes

Research Initiation Award: Cooper For Microelectronics Applications By Low-Temperature MOCVD (LTMOCVD) Processes
研究启动奖：Cooper 低温 MOCVD (LTMOCVD) 工艺微电子应用
批准号：
9010661
负责人：
Alain Kaloyeros
金额：
$7.0万
依托单位：
SUNY at Albany
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1990
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1990-07-01 至 1992-06-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9010661&HistoricalAwards=false
关键词：
ResearchInitiationAwardCooperMicroelectronics

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
一个研究计划的增长，表征和 新技术中应用的铜膜的测试 提出了几代电子设备。 的 一种方法集中于CVD工艺， 前体在低至 150度 这个过程是“低温金属有机化学气相沉积”， 或LTMOCVD。
英文摘要
A research program for the growth, characterization and testing of copper films for applications in the new generations of electronic devices is proposed. The approach focuses on a CVD process which employs vapor precursors which dissociate at temperatures as low as 150'C. The process is "Low Temperature Metal-Organic CVD," or LTMOCVD.
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会议论文
Presidential Young Investigator Award
  • 批准号：
    9157011
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $31.25万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    Alain Kaloyeros
  • 依托单位：
    SUNY at Albany
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