SBIR PHASE I: High Power Mid-IR Laser Diodes

SBIR 第一阶段:高功率中红外激光二极管

基本信息

  • 批准号:
    9561034
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 7.49万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1996-03-01 至 1996-08-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This Small Business Innovation Research Phase I project proposes to develop high-power mid-IR CW semiconductor laser diodes. The mid-IR laser diode will be grown via MOCVD on an InP substrate using a novel technique that overcomes the strain limitation on wavelength in the InP system. By making use of the well-developed technology for the growth and fabrication of InP-based lasers, high power, low-threshold and efficient lasers will be obtained in this previously inaccessible wavelength range. The development of mid-IR lasers will have important applications for gas monitoring, LIDAR systems, and Infra-red countermeasures. Growth of these long wavelength lasers by MOCVD will enable large scale production and hence reduce the cost of these devices.
这个小型企业创新研究第一阶段项目建议开发高功率中红外连续波半导体激光二极管。中红外激光二极管将通过MOCVD生长在InP衬底上,使用一种新的技术,克服了在InP系统中的波长的应变限制。通过利用成熟的InP基激光器的生长和制造技术,将在这一以前无法达到的波长范围内获得高功率、低阈值和高效的激光器。 中红外激光器的发展将在气体监测、激光雷达系统和红外对抗方面有重要的应用。通过MOCVD生长这些长波长激光器将能够实现大规模生产,从而降低这些器件的成本。

项目成果

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