Coulomb - Korrelationen im eindimensionalen Elektronensystem unter Berücksichtigung unordnungsinduzierter Lokalisierung

库仑 - 考虑无序引起的局域化的一维电子系统中的相关性

基本信息

项目摘要

Die „π-gebundenen Pandey-Ketten“ der Si(111)-(2x1) Oberfläche [Pand81] stellen aufgrund der stark anisotropen Oberflächen-Bandstruktur ([Rohl99], [Perf87], [Uhrb82]) ein gut zugängliches, vor allen Dingen aber sich selbst organisierendes (quasi-) eindimensionales System variabler Länge dar. Es zeigt anisotrope Kontraste an Punktdefekten und erlaubt die Beobachtung der Elektron-Elektron- Wechselwirkung in Form eines Coulomb-Gaps [Garl05]. Von großer Bedeutung ist hier das Wechselspiel der langreichweitigen Wechselwirkung und der lokalen Unordnung auf atomarer Skala. Mit Hilfe modernster Elektronenstrukturtheorie sollen Streupotentiale für Punktdefekte (Dotieratome und Adsorbate) berechnet und mit hochaufgelösten Rastertunnelspektroskopiedaten verglichen werden. Auf der Basis dieser Daten können dann das Unordnungspotential und der Grad der Unordnung gezielt eingestellt werden, um mit Hilfe der Rastertunnelspektroskopie im Ortsraum die Entwicklung und Änderung der Eigenschaften eines 1D-Elektronengases als Funktion steigender Unordnung experimentell zu untersuchen.
Die“π-gebundenen Pandey-Ketten”der Si(111)-(2x1) Oberfläche [Pand81] stelen aufgrund der stark anisotropen Oberflächen-Bandstruktur ([Rohl99], [Perf87], [Uhrb82]) ein gut zugängliches, vor allen Dingen aber sich selbst organisierendes (quasi-) eindimensionales系统变量Länge dar。库仑隙中电子-电子-微粒子的各向异性对比与数值模拟[j]。Von groß ßer Bedeutung ß ß her her wehselspiel der langreichwetigen wehselwirung and der lokalen Unordnung auatomer Skala。Mit Hilfe modernster elektronenstruckturtheorie sollen Streupotentiale f<e:1> r punktdefkte (dotieratomome and hottalate) berechnet and Mit hochaufgelösten Rastertunnelspektroskopiedaten verglichen werden。研究对象:基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底-基底。

项目成果

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Spectroscopy of positively and negatively buckled domains on Si(111)-2×1
Si(111)-2×1 上正屈曲域和负屈曲域的光谱
  • DOI:
    10.1103/physrevb.86.085303
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    K. Löser;M. Wenderoth;T.K.A. Spaeth;J.K. Garleff;R.G.Ulbrich;M. Pötter;M. Rohlfing
  • 通讯作者:
    M. Rohlfing
Electronic disorder of P- and B-doped Si at the metal–insulator transition investigated by scanning tunnelling microscopy and electronic transport
通过扫描隧道显微镜和电子输运研究金属绝缘体转变中 P 和 B 掺杂 Si 的电子无序
  • DOI:
    10.1088/1367-2630/15/5/055009
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.3
  • 作者:
    Christoph Sürgers;M. Wenderoth;K. Löser;J.K. Garleff;R.G. Ulbrich;M. Lukas;H. von Löhneysen
  • 通讯作者:
    H. von Löhneysen
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