CAREER: Structural Studies of Metal Interfaces on High-Index Silicon Surfaces

职业:高折射率硅表面金属界面的结构研究

基本信息

  • 批准号:
    9733398
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 29.07万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1998
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1998-04-01 至 2002-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

9733398 Baski This CAREER project addresses fundamental surface science aspects of metal-semiconductor interfaces. The growth behavior of noble metals will be examined on unique templates provided by high-index ("tilted") silicon surfaces. The structural and electronic properties of these interfaces will be studied using scanning tunneling microscopy (STM) in conjunction with first-principles, electronic-structure calculations. This approach is expected to enable the development of atomic structural models and a deeper understanding of the formation and properties of these interfaces. The research is motivated by recent STM investigations of clean high-index surfaces oriented between (001) and (111) that have revealed unique row-like structures which do not exist on the more well-known low-index surfaces. It is anticipated that the underlying Si structure will cause metal overlayers to form novel structures on the nanometer scale (e.g. nanowires). A complementary teaching component of this project focuses on course development in an introductory calculus-based physics sequence. Labs for this three-semester sequence will introduce computer-interfaced experiments and more effective integration of lecture components. The aim is to provide a firm foundation in materials physics, and especially to develop studentsO experimental and analytical skills. %%% The project addresses forefront research issues in a topical area of materials science having high technological relevance. The research will contribute basic materials science knowledge at a fundamental level to important aspects of electronic materials and devices, in general. An important feature of the program is the emphasis on education, and on the integration of research and education through the training of students in a fundamentally and technologically significant research area. ***
小行星9733398 这个CAREER项目致力于金属-半导体界面的基本表面科学方面。贵金属的生长行为将在由高折射率(“倾斜”)硅表面提供的独特模板上进行检查。这些接口的结构和电子特性将使用扫描隧道显微镜(STM)结合第一性原理,电子结构计算进行研究。这种方法有望使原子结构模型的发展和更深入地了解这些接口的形成和属性。这项研究的动机是最近的STM研究的清洁高指数表面之间的取向(001)和(111),揭示了独特的行状结构,不存在于更知名的低指数表面。可以预期,下面的Si结构将导致金属覆盖层形成纳米尺度上的新颖结构(例如纳米线)。该项目的一个补充教学组成部分侧重于课程开发的介绍微积分为基础的物理序列。这三个学期的实验序列将介绍计算机接口的实验和更有效的整合讲座组件。目的是提供材料物理学的坚实基础,特别是培养学生的实验和分析技能。 %该项目解决了具有高技术相关性的材料科学主题领域的前沿研究问题。 该研究将为电子材料和设备的重要方面提供基础材料科学知识。该计划的一个重要特点是强调教育,并通过在基础和技术上重要的研究领域培养学生,将研究与教育相结合。 ***

项目成果

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