Vertical Gradient Freeze-Züchtung ohne Tiegelkontakt
Vertical Gradient Freeze-Züchtung ohne Tiegelkontakt
批准号:
15765393
负责人:
Dr. Olf Pätzold
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2006
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2005-12-31 至 2008-12-31
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英文摘要
Das Ziel des Forschungsprojektes besteht in der wissenschaftlichen Untersuchung des Vertical Gradient Freeze- (VGF-) Verfahrens ohne Tiegelkontakt. Vertiefte Kenntnisse über diese nachfolgend auch als ¿detached VGF¿ (dVGF) bezeichnete Züchtungsmethode sind vor allem für die Herstellung von Halbleiter-Einkristallen von Bedeutung, weil sich dadurch interessante Perspektiven zur Erhöhung der Kristallqualität und -ausbeute ergeben. Das Vorhaben beinhaltet grundlegende Untersuchungen zur Verringerung bzw. Vermeidung des Tiegelkontaktes im Bereich der Phasengrenze fest-flüssig und zur Stabilität des Meniskus im Prozessverlauf. Dafür soll eine modifizierte dVGF-Variante mit separater Dampfdruckquelle verwendet werden, wodurch die exakte Kontrolle des Gasdrucks im System sowie die Beeinflussung der Dotierstoffkonzentration und/oder der Schmelzstöchiometrie möglich ist. Ein weiterer Forschungsschwerpunkt ist die Aufklärung des Einflusses von Verunreinigungen auf die Ablösung der Schmelze von Tiegel, um zu einem grundsätzlichen Verständnis der Meniskusbildung im Bereich der Phasengrenze zu gelangen. Für die Untersuchungen werden u.a. Magnetfelder eingesetzt mit denen die Strömung und damit der Stofftransport in der Schmelze gezielt beeinflusst werden kann. Die Schwerpunkte des Arbeitsprogramms umfassen die Bestimmung des Kontaktwinkels zwischen verschiedenen Halbleiterschmelzen und Tiegelmaterialien in Abhängigkeit von der umgebenden Gasphase und von der Oberflächenbeschaffenheit der Tiegel, die globale Modellierung des dVGF-Prozesses zur Ermittlung der optimalen thermischen und geometrischen Parameter sowie die Durchführung von systematischen Züchtungsexperimenten einschließlich der metallografischen und elektrischen Charakterisierung der Kristalle.
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会议论文
Investigation and development of the high-temperature vapour phase epitaxy for producing single-crystalline GaN layers.
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批准号:257632561
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2014
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负责人:Dr. Olf Pätzold
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依托单位:
国内基金
海外基金
基于肺结节多正交位CT图像Curvelet纹理构建 Gradient Boosting 集成预测模型
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批准号:81172772
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项目类别:面上项目
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资助金额:40.0万元
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批准年份:2011
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负责人:郭秀花
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依托单位: