Der amorph-kristallin Übergang für Oxide der vierten Hauptgruppe und kristallinem Silizium

第四主族氧化物与晶体硅的非晶-晶转变

• 批准号: 16093249
• 负责人: Professor Dr. Carsten Westphal
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Experimentelle Physik I
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/16093249?language=en
• 关键词: Der; amorph; kristallin; bergang; Oxide

In der Anwendung werden Oxide wegen ihrer chemischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften häufig eingesetzt. Immer wichtiger werden dabei die Eigenschaften des Übergangs vom Oxid zum darunter liegenden Substratmaterial. Die elektronischen Eigenschaften des Übergangs werden maßgeblich von der Anordnung der Atome an der Grenze zwischen den Materialien bestimmt. In der Halbleiterelektronik werden Oxidfilme als Isolator verwendet, und Schichtdicken von ca. 0.5-10 nm werden gegenwärtig intensiv untersucht. In diesem Projekt sollen Oxide der vierten Hauptgruppe auf kristallinem Silizium präpariert und untersucht werden, konkret oxidische Filme von Siliziumcarbid, Titan, Zirkon und Hafnium auf Silizium. Vorarbeiten aus einem anderen Projekt konnten die strukturellen Eigenschaften der Grenzfläche des Übergangs vom Siliziumoxid zum Silizium zerstörungsfrei bestimmen. Vorarbeiten zu diesem Projekt zeigen erste Beugungsmuster der präparierten Filme, die detaillierte Strukturanalyse ist jedoch nur mit Synchrotronstrahlung und Vergleichsrechnungen möglich. Wissenschaftlich soll eine elementabhängige Systematik des amorph-kristallin Strukturübergangs an der Grenzfläche untersucht werden.

在化学、电子和结构中，氧化物是一种特殊结构。在这种情况下，氧化层的特性会受到基材的影响。电子技术的特征是原子和材料最佳状态下的机械结构。在 der Halbleiterelektronik werden Oxidfilme als Isolator verwendet 和 Schichtdicken von ca。 0.5-10 nm werden gegenwärtig intensiv untersucht。在该项目中，我们开发了硅硅的主要组团的氧化物，并在其中进行了碳化硅、钛、锆石和铪的氧化膜的处理。本项目将介绍硅氧化物的最佳结构特征。首先，我们要对电影的准备工作进行初步设计，详细分析结构，以实现同步加速和综合研究。无定形水晶结构的科学知识是在非晶态晶体结构中的基本元素。