Der amorph-kristallin Übergang für Oxide der vierten Hauptgruppe und kristallinem Silizium

In der Anwendung韦尔登Oxide wegen ihrer chemischen，elektronischen and structurellen Eigenschaften häufig eingesetzt.从氧化物到基质材料的所有特征都被韦尔登发现。超韦尔登特性主要由原子和物质的平衡来决定。在半导体电子韦尔登中，隔离器被安装，并且Schichtdicken von ca. 0.5-10 nm韦尔登gegenwärtig intensiv untersucht.在这个项目中，我们将使用碳化硅、钛、锆和铪氧化膜，这些氧化膜是由几个主要的氧化硅生产和使用的。Vorarbeiten aus einem anderen Projekt konnten die strukturellen Eigenschaften der Grenzfläche des Übergangs vom Siliziumoxid zum Silizium zerstörungsfrei bestimmen。对于这个项目，首先要对薄膜进行详细的结构分析，然后再进行同步辐射和误差分析。Wissenschaftlich soll eine elementabhängige Systematik des amorph-kristallin Strukturübergangs an der Grenzfläche untersucht韦尔登.

In der Anwendung werden Oxide wegen ihrer chemischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften häufig eingesetzt. Immer wichtiger werden dabei die Eigenschaften des Übergangs vom Oxid zum darunter liegenden Substratmaterial. Die elektronischen Eigenschaften des Übergangs werden maßgeblich von der Anordnung der Atome an der Grenze zwischen den Materialien bestimmt. In der Halbleiterelektronik werden Oxidfilme als Isolator verwendet, und Schichtdicken von ca. 0.5-10 nm werden gegenwärtig intensiv untersucht. In diesem Projekt sollen Oxide der vierten Hauptgruppe auf kristallinem Silizium präpariert und untersucht werden, konkret oxidische Filme von Siliziumcarbid, Titan, Zirkon und Hafnium auf Silizium. Vorarbeiten aus einem anderen Projekt konnten die strukturellen Eigenschaften der Grenzfläche des Übergangs vom Siliziumoxid zum Silizium zerstörungsfrei bestimmen. Vorarbeiten zu diesem Projekt zeigen erste Beugungsmuster der präparierten Filme, die detaillierte Strukturanalyse ist jedoch nur mit Synchrotronstrahlung und Vergleichsrechnungen möglich. Wissenschaftlich soll eine elementabhängige Systematik des amorph-kristallin Strukturübergangs an der Grenzfläche untersucht werden.