Der amorph-kristallin Übergang für Oxide der vierten Hauptgruppe und kristallinem Silizium

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In der Anwendung werden Oxide wegen ihrer chemischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften häufig eingesetzt. Immer wichtiger werden dabei die Eigenschaften des Übergangs vom Oxid zum darunter liegenden Substratmaterial. Die elektronischen Eigenschaften des Übergangs werden maßgeblich von der Anordnung der Atome an der Grenze zwischen den Materialien bestimmt. In der Halbleiterelektronik werden Oxidfilme als Isolator verwendet, und Schichtdicken von ca. 0.5-10 nm werden gegenwärtig intensiv untersucht. In diesem Projekt sollen Oxide der vierten Hauptgruppe auf kristallinem Silizium präpariert und untersucht werden, konkret oxidische Filme von Siliziumcarbid, Titan, Zirkon und Hafnium auf Silizium. Vorarbeiten aus einem anderen Projekt konnten die strukturellen Eigenschaften der Grenzfläche des Übergangs vom Siliziumoxid zum Silizium zerstörungsfrei bestimmen. Vorarbeiten zu diesem Projekt zeigen erste Beugungsmuster der präparierten Filme, die detaillierte Strukturanalyse ist jedoch nur mit Synchrotronstrahlung und Vergleichsrechnungen möglich. Wissenschaftlich soll eine elementabhängige Systematik des amorph-kristallin Strukturübergangs an der Grenzfläche untersucht werden.