Geometrische Struktur von verborgenen Grenzflächen

这是一种新的电子技术和电子技术分析方法。Afgrund der Mittleren Freien Freien Freittstiefe der PhotoElectrktronen ist MIT ihr ein Bereich bis zu einer Tiefe von etwa 20 Lagen Under Oberfläche Examentell Zugänglich.De Untersuhugen Sollen Am System Antimon auf Silizium(111)DurchgefüHRT Den.据估计，电子产品的结构和性能并不是很好，也不是所有的设备都是这样的。元素--Verteilung and der Oberfläche kann Aus Quantiativem XPS erfolgen.这是一位名叫L的人，他死于安提瓜和巴布达的统治之下。在此基础上，我们进行了大量的实验和模拟实验。我是Zweiten teil des Projektes ist der gesteuerte and kontrollierte Einbau von Antimon in die obersten Lagen vom Silizium geants.Hierfür是参数和Oberflächeneigenschaften(Rauhigkeit，Orientierung，Stufendichte)各种参数。这是一个唯一的问题，它是一个和以下的Oberfläche eine gezielte分离在Oberfläche Erreicht Wen den kann下的Zusammenang zwitchen和Strukturen。

Es soll die Photoelektronenbeugung zur Analyse von inneren Strukturen eingesetzt und weiterentwickelt werden. Aufgrund der mittleren freien Austrittstiefe der Photoelektronen ist mit ihr ein Bereich bis zu einer Tiefe von etwa 20 Lagen unter der Oberfläche experimentell zugänglich. Die Untersuchungen sollen am System Antimon auf Silizium(111) durchgeführt werden. Die Struktur an der Oberfläche soll mit der niederenergetischen Elektronenbeugung (LEED) bestimmt werden, indem die Intensitäten der LEED-Reflexe aufgenommen und ausgewertet werden. Die Element-spezifische Verteilung an der Oberfläche kann aus quantitativem XPS erfolgen. Aus beiden Informationen zusammen läßt sich die Antimonmenge an und unter der Oberfläche abschätzen. Die Struktur unter der Oberfläche kann durch den Vergleich von experimentellen und simulierten Photoelektronenbeugungsdaten ermittelt werden. Im zweiten Teil des Projektes ist der gesteuerte und kontrollierte Einbau von Antimon in die obersten Lagen vom Silizium geplant. Hierfür werden Präparationsparameter und Oberflächeneigenschaften (Rauhigkeit, Orientierung, Stufendichte) variiert. Es soll untersucht werden, ob durch den Zusammenhang zwischen Strukturen an und unter der Oberfläche eine gezielte Präparation unter der Oberfläche erreicht werden kann.