Geometrische Struktur von verborgenen Grenzflächen

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Es soll die Photoelektronenbeugung zur Analyse von inneren Strukturen eingesetzt und weiterentwickelt werden. Aufgrund der mittleren freien Austrittstiefe der Photoelektronen ist mit ihr ein Bereich bis zu einer Tiefe von etwa 20 Lagen unter der Oberfläche experimentell zugänglich. Die Untersuchungen sollen am System Antimon auf Silizium(111) durchgeführt werden. Die Struktur an der Oberfläche soll mit der niederenergetischen Elektronenbeugung (LEED) bestimmt werden, indem die Intensitäten der LEED-Reflexe aufgenommen und ausgewertet werden. Die Element-spezifische Verteilung an der Oberfläche kann aus quantitativem XPS erfolgen. Aus beiden Informationen zusammen läßt sich die Antimonmenge an und unter der Oberfläche abschätzen. Die Struktur unter der Oberfläche kann durch den Vergleich von experimentellen und simulierten Photoelektronenbeugungsdaten ermittelt werden. Im zweiten Teil des Projektes ist der gesteuerte und kontrollierte Einbau von Antimon in die obersten Lagen vom Silizium geplant. Hierfür werden Präparationsparameter und Oberflächeneigenschaften (Rauhigkeit, Orientierung, Stufendichte) variiert. Es soll untersucht werden, ob durch den Zusammenhang zwischen Strukturen an und unter der Oberfläche eine gezielte Präparation unter der Oberfläche erreicht werden kann.