Modeling and simulation of magnetic semiconductor device structures (B09)
Modeling and simulation of magnetic semiconductor device structures (B09)
批准号:
19636761
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Collaborative Research Centres
财政年份:
2006
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2005-12-31 至 2016-12-31
中文摘要
磁性Halbleiter ermöglichen durch Spinaufspaltung Ladungsbändern and Nichtgleichgewichtsspineffektenzusätzliche控制机理研究[j]。spintronischer Bauteile。Ziel des teilprojectsist es, die characterteristischen Potentiale solchermit magnetischen hergestellter Bauteile zu erforschen, indem umfangreiche numerisen simulation durchgefhrt and analychbehandelbare Modelle f<e:1>, berreits bekante aber auchneutige Versuchsanordnungen entwickelt werden。本征自旋极化在磁学中的输运,在磁学中的输运,在磁学中的输运,在磁学中的输运,在磁学中的输运,在磁学中的输运。
英文摘要
Magnetische Halbleiter ermöglichen durch Spinaufspaltung von Ladungsbändern und Nichtgleichgewichtsspineffektenzusätzliche Kontrollmechanismen für das Modellieren der Bandstruktur elektronischerbzw. spintronischer Bauteile. Ziel des Teilprojekts ist es, die charakteristischen Potentiale solchermit magnetischen Halbleitern hergestellter Bauteile zu erforschen, indem umfangreiche numerischeSimulationen durchgeführt und analytisch behandelbare Modelle für bereits bekannte aber auchneuartige spintronische Versuchsanordnungen entwickelt werden. Generische Eigenschaften spinpolarisiertenTransportes in magnetischen aber auch nicht magnetischen Halbleiterkontaktierungen sollenim Hinblick auf Drift und Diffusion von Ladungen und Spins untersucht werden.
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