Organische Dünnschichtdielektrika für high-performance OFETs

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Zur Erweiterung des bisher anvisierten Einsatzgebietes organischer Bauelemente für low-cost, low-performance Anwendungen ist es unabdingbar, organische Feldeffekttransistoren (OFETs) zu entwickeln, die bei Spannungen ≤ 5 V betrieben werden können. Ausgehend vom Aufbau quervernetzter Polymerblends sollen funktionalisierbare Dünnschichtisolatoren für Feldeffekttransistoren entwickelt und hinsichtlich ihrer Schicht- und Grenzflächeneigenschaften, sowie der elektrischen Eigenschaften der organischen Bauelemente charakterisiert werden. Die angestrebten Schichtdicken sollen im Bereich von 30 - 50 nm liegen, um niedrige Betriebsspannungen zu erreichen. Besondere Herausforderungen liegen in der Erzielung kleiner Oberflächenrauigkeiten (≤ 2 nm), hoher Durchschlagsfestigkeiten (> 1 MV/cm) und der gezielten Einstellung von p- und n-Kanal-Leitung in OFETs durch chemische und/ oder physikalische Funktionalisierung des Dielektrikums.