Optical Spectroscopy at Internal Interfaces - Semiconductor Heterostructures and Organic-Inorganic Hybrids (B01)

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Das Ziel des Projekts ist die zerstörungsfreie Charakterisierung innerer Grenzflächen mit Methoden der linearen optischen Spektroskopie, die eine Messung weniger Atomlagen ermöglichen. Grenzflächendominierte anorganische und organisch-anorganische Halbleiterheterosysteme werden mit dem Ziel untersucht, den Zusammenhang von optischen, elektronischen und Schwingungseigenschaften mit strukturellen Grenzflächeneigenschaften wie Unordnung, Bindungen und Banddiskontinuitäten aufzudecken. Eine besondere Herausforderung ist die Aufdeckung von elektronischen Grenzflächenzuständen und reinen Grenzflächenschwingungsmoden.