Grenzflächenphänomene in einer neuen ZCIS p-i-n Doppelheterostruktur

新型 ZCIS p-i-n 双异质结构中的界面现象

• 批准号: 24615876
• 负责人: Professor Dr. Igor Konovalov
• 金额: --
• 依托单位: Wilhelm-Ostwald-Institut für Physikalische und Theoretische Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/24615876?language=en
• 关键词: Grenzfl; chenph; nomene; einer; neuen

Es soll eine neue p-i-n Doppelheterostruktur unter Anwendung von ZnS-CuInS2- Mischkristallen (ZCIS) entwickelt werden. Diese Arbeit nutzt Untersuchungen von ZnS-CuInS2- Mischkristallen des bisherigen ZCIS-Projektpakets. Das Modell der Heterostruktur soll es ermöglichen, optoelektronische Eigenschaften von ZCIS p-i-n Strukturen vorauszusagen, zu erklären und hinsichtlich verschiedener Anwendungen zu optimieren (Photodetektoren, Solarzellen, Lichtemissionsdioden und Halbleiterlaser). Die Entwicklung eines Modells einer neuen p-i-n-Struktur erfordert Kenntnis der Grenzflächeneigenschaften, insbesondere der elektronischen Bandschemata und der Art der Gitteranpassung zwischen ZnS-CuInS2-Mischkristallen (i-Schicht) und ausgewählten Halbleitern sowohl von n-Typ (AgIn5S8, ZnO), als auch vom p-Typ (CuI). In Beziehung zum elektronischen Bandschema stehen auch wichtige Fragen der Dotierbarkeit und Defektbildung im ZCIS-Halbleiter selbst, die bisher nicht ausreichend untersucht worden sind. Das elektronische Bandschema und die Interdiffusion sollen mit Röntgenphotoelektronenspektroskopie, die Gitteranpassung mit Röntgenbeugung und Elektronenmikroskopie ausführlich untersucht werden. Eine Analyse der Dunkel- und Hellkennlinien bei verschiedenen Temperaturen soll die Einflüsse der nichtstrahlenden direkten und tunnelunterstützten Rekombination aufklären. Zur Frage der metastabilen Defektbildung in ZCIS sind außerdem Beobachtungen des Feldeffekts geplant. Ein Vergleich zwischen den gemessenen und mit dem Modell vorausgesagten Eigenschaften der Doppelheterostruktur ebenfalls erfolgen.

在ZnS-CuInS_2- Mischkristallen（ZCIS）晶体上发现了一种新的p-i-n异质结构。这是ZCIS项目中ZnS-CuInS 2- Mischkristallen的主要研究成果。Das Modell der Heterostruktur soll es ermöglichen，optoelektronische Eigenschaften von ZCIS p-i-n Strukturen vorauszusagen，zu erklären und hinsichtlich verzedener Anwendungen zu optieren（Photodetektoren，Solarzellen，Lichtemissionsdioden und Halbleiterlaser）.这种新的p-i-n-Struktur模型是一种新的非线性结构，它包括ZnS-CuInS 2-Mischkristallen（i-Schicht）的电子能带结构和工艺，以及n-Typ（AgIn 5S 8，ZnO）的半导体器件，也包括p-Typ（CuI）。在ZCIS-Halbleiter自身的电子频带架构中，也存在着Dotierbarkeit和Defektbildung的碎片，bisher并不需要进行沃登。Das elektronische Bandschema and die Interdiffusion sollen mit Röntgenphotoelektronenspektroskopie，die Gitteranpassung mit Röntgenbeugung und Elektronenmikroskopie ausführlich untersucht韦尔登. Eine Analyse der Dunkel- und Hellkennlinien bei versedenen Temperaturen soll die Einflüsse der nichtstrahlenden direkten und tunnelunterstützten Rekombination aufklären. ZCIS中的亚稳定性缺陷培养法是研究对象的基础。一个简单的方法可以使双异质结构的本征值与模型相匹配。