Ortsaufgelöste Röntgen-Absorptions- und Zirkulardichroismus-Messungen an mit dünnen Oxidschichten bedecktem Magnetit zur Verwendung in magnetischen Tunnelelementen

Grundbaustein在vielen neuartigen Sensoren （z.B. in der Automotive分支）和Datenspeichern （Verwendung in handelds，手持设备等）发现了磁性隧道元件（MTJ）中材料的利用。本文研究了一种新型的铁磁电极分离器（Al2O3 oder MgO）的制备方法。Der elektrische Widerstand dieses Tunnelelementes hängt von Der relativeentierung Der Magnetisierungen Der beiden Ferromagnete ab and wind - Tunnelmagnetowiderstand (TMR) genannannes。在Abhängigkeit中，冯德自旋极化的铁磁材料，异质变异体的最大，最理想的tmr效应。fbr半金属铁磁铁矿，z.B. das铁氧体磁铁矿（Fe3O4）， wbr， 100%自旋极化[j]。Mit solchen materials könnten in Idealfall MTJs and elektrische Schalter realisiert werden。Bisher等人研究了MTJs中自旋极化现象。Eine mögliche Ursache kann Eine Interdiffusion zwischen benachbarten barrien and Elektrodenmateriel sein, was die Spinpolarisation and somit den TMR stark minderderwrde。In diesem project solitmit Röntgen- Absorptions- und - zirkulardicroismuss - messungen (XAS and XMCD) ortsaufgelöst die barrien /Elektroden-Grenzfläche untersucht werden。麻省理工学院学报（ei）： möglich，麻省理工学院学报（ei）： Änderungen in der Magnetisierung and Stöchiometrie des Magnetits zu detektieren。他也被称为“隧道屏障”（Tunnelbarriere verwendeten Al2O3），其中包括“隧道屏障”（Tunnelbarriere verwendeten Al2O3）和“最先进的隧道屏障”（State of the Art）。来自美国劳伦斯伯克利国家实验室（Lawrence Berkeley National Laboratory）的先进光源（ALS）研究人员（r die durchzufhrenden Messungen ist and der Advanced光源（ALS）），介绍了Strahlzeit beantragt and bewillight worden。

Als Grundbaustein in vielen neuartigen Sensoren (z.B. in der Automotive Branche) und Datenspeichern (Verwendung in Handy, Handhelds etc.) findet sich heutzutage oftmals ein magnetisches Tunnelelement (MTJ). Dieses besteht aus zwei durch eine dünne Isolatorschicht (typischerweise Al2O3 oder MgO) voneinander getrennten ferromagnetischen Elektroden. Der elektrische Widerstand dieses Tunnelelementes hängt von der relativen Orientierung der Magnetisierungen der beiden Ferromagnete ab und wird Tunnelmagnetowiderstand (TMR) genannt. In Abhängigkeit von der Spinpolarisation der ferromagnetischen Materialien variiert der maximal erreichbare TMR-Effekt. Für halbmetallische Ferromagnete, wie z.B. das Eisenoxid Magnetit (Fe3O4), wird eine Spinpolarisation von 100% vorhergesagt. Mit solchen Materialien könnten im Idealfall MTJs als elektrische Schalter realisiert werden. Bisher ist es nicht gelungen, Magnetit-Elektroden mit hoher Spinpolarisation in MTJs zu implementieren. Eine mögliche Ursache kann eine Interdiffusion zwischen benachbarten Barrieren- und Elektrodenmateriel sein, was die Spinpolarisation und somit den TMR stark mindern würde. In diesem Projekt soll mit Röntgen- Absorptions- und -Zirkulardichroismus-Messungen (XAS und XMCD) ortsaufgelöst die Barrieren/Elektroden-Grenzfläche untersucht werden. Mit dieser Methode ist es möglich, selbst kleinste Änderungen in der Magnetisierung und Stöchiometrie des Magnetits zu detektieren. Es soll neben dem häufig als Tunnelbarriere verwendeten Al2O3, auch das heutzutage als State of the Art verwendete MgO untersucht werden. Für die durchzuführenden Messungen ist an der Advanced Light Source (ALS) des Lawrence Berkeley National Laboratory, USA, bereits Strahlzeit beantragt und bewilligt worden.