Plasma-unterstützte Gasphasendepositionsanlage (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)
Plasma-unterstützte Gasphasendepositionsanlage (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)
批准号:
273513748
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2015
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2014-12-31 至 --
中文摘要
纳米电子元件基于中性二维(2D)材料,如Beispiel Graphen或基于金属的二硫属化物(engl.过渡金属二硫属化物(TMDs)韦尔登具有很强的抗氧化性。这种建筑只不过是一种替代性的最好的技术,它可以韦尔登,如果它的材料和材料与技术的兼容性很好的话。Während noch viele Forschergruppen weltweit mit exfolierten(d.h.二维材料加工是一种基于石墨烯纳米技术的工程科学方法,它主要用于化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸的石墨烯。这种集成与可编程技术的结合是对工作组的一种简化。Die plasma CVD-Anlage soll für Experimente zur Herstellung von qualitativ hochwertigem Graphen und TMDs und deren Bauelemente verwendet韦尔登. Das Plasma CVD Verfahren bietet durch geschickte Wahl geigneter Gasprekursoren in Combination mit Plasmaanregung zur Erzeugung benötigter Radikale unvergleichlichche Möglichkeiten der Materialkomposition und der Präzision bei gleichzeitiger Absenkung der thermischen Budgets. Das geplante System soll eine PC-Steuerung und eine Vakuumschleuse(“Load Lock”)zur kontaminationsfreien Prozessführung planten.在锡根有一个非常古老的祖先。
英文摘要
Nanoelektronische Bauelemente auf Basis neuartiger zweidimensionaler (2D) Materialien wie zum Beispiel Graphen oder Übergangsmetall-basierte Dichalcogenide (engl. Transition Metal Dichalcogenides, TMDs) werden derzeit intensiv untersucht. Diese Bauelemente können aber nur dann ernsthaft als Alternative zu bestehenden Technologien herangezogen werden, wenn es gelingt die Materialherstellung skalierbar und kompatibel mit existierender Technologie zu beherrschen. Während noch viele Forschergruppen weltweit mit exfolierten (d.h. auf Mikrometerdimensionen limitierten) 2D Materialien arbeiten, hat sich der Ingenieurwissenschaftlich ausgerichtete Lehrstuhl für Graphen-basierte Nanotechnologie auf großflächige Schichten aus chemischen Gasphasendepositionsprozessen(CVD) fokussiert. Gerade diese Integration mit existierender Technologie ist ein wesentliches Alleinstellungsmerkmal der Arbeitsgruppe. Die hier beantragte Plasma CVD-Anlage soll für Experimente zur Herstellung von qualitativ hochwertigem Graphen und TMDs und deren Bauelemente verwendet werden. Das Plasma CVD Verfahren bietet durch geschickte Wahl geeigneter Gasprekursoren in Kombination mit Plasmaanregung zur Erzeugung benötigter Radikale unvergleichliche Möglichkeiten der Materialkomposition und der Präzision bei gleichzeitiger Absenkung der thermischen Budgets. Das geplante System soll eine PC-Steuerung und eine Vakuumschleuse ("Load Lock") zur kontaminationsfreien Prozessführung enthalten. Eine vergleichbare Anlage ist in Siegen nicht vorhanden.
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