Plasma-unterstützte Gasphasendepositionsanlage (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)
Plasma-unterstützte Gasphasendepositionsanlage (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)
批准号:
273513748
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2015
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2014-12-31 至 --
中文摘要
纳米电子材料(Nanoelektronische Bauelemente auf base neuartiger zweiDimsionaler(2D))过渡金属二卤代化合物(TMDs)具有较强的诱变性。这是一种新的技术选择,也是一种新的技术选择。Während noch viele Forschergruppen Weltweit MIT Exflierten(D.H.从二维材料的角度来看,这是一种新型的纳米技术。我们将把现有的技术集成在一起,并为其提供技术支持。在此我们进行了等离子体CVD-Anlage Soll für实验,以定性地研究Graphen和TMDs及Deren Bauelemente verwendet。Das等离子CVD Verfahren biet das geschickte wahl geeigneter Gasprekursoren in Kombination MIT Platmaanregung zur Erzeugung Benötigter Radikale unvergleichliche Möglichkeiten der Materialalkationand der Präzision Be GleichzeiTiger Absenkung der thermischen预算。Das geplite system soll eine PC-Steuerung and eine Vakuumschleuse(“Load Lock”)zur konaminationsfrezessführung enten.在西根岛上有一座古老的建筑。
英文摘要
Nanoelektronische Bauelemente auf Basis neuartiger zweidimensionaler (2D) Materialien wie zum Beispiel Graphen oder Übergangsmetall-basierte Dichalcogenide (engl. Transition Metal Dichalcogenides, TMDs) werden derzeit intensiv untersucht. Diese Bauelemente können aber nur dann ernsthaft als Alternative zu bestehenden Technologien herangezogen werden, wenn es gelingt die Materialherstellung skalierbar und kompatibel mit existierender Technologie zu beherrschen. Während noch viele Forschergruppen weltweit mit exfolierten (d.h. auf Mikrometerdimensionen limitierten) 2D Materialien arbeiten, hat sich der Ingenieurwissenschaftlich ausgerichtete Lehrstuhl für Graphen-basierte Nanotechnologie auf großflächige Schichten aus chemischen Gasphasendepositionsprozessen(CVD) fokussiert. Gerade diese Integration mit existierender Technologie ist ein wesentliches Alleinstellungsmerkmal der Arbeitsgruppe. Die hier beantragte Plasma CVD-Anlage soll für Experimente zur Herstellung von qualitativ hochwertigem Graphen und TMDs und deren Bauelemente verwendet werden. Das Plasma CVD Verfahren bietet durch geschickte Wahl geeigneter Gasprekursoren in Kombination mit Plasmaanregung zur Erzeugung benötigter Radikale unvergleichliche Möglichkeiten der Materialkomposition und der Präzision bei gleichzeitiger Absenkung der thermischen Budgets. Das geplante System soll eine PC-Steuerung und eine Vakuumschleuse ("Load Lock") zur kontaminationsfreien Prozessführung enthalten. Eine vergleichbare Anlage ist in Siegen nicht vorhanden.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
海外基金