Plasma-unterstützte Gasphasendepositionsanlage (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)

纳米电子元件，基底，中性触发，尺寸（2D）材料，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯，石墨烯过渡金属二硫族化合物（TMDs）是一种温度较低的化合物。Diese Bauelemente können berer nudern enerstaft也是Alternative zu best hendenen Technologien herzeogen werden，当gelingent die materials， herdenen skalierbar和comppatibel berdenen Technologien berherschen存在时。Während noch viele Forschergruppen weltweit mit exfolierten （d.h. auf微米尺寸限制）二维材料之间的相互作用，这就是d.h.auf微米尺寸限制)与石墨基纳米技术之间的相互作用großflächige Schichten aus chemischen气相沉积与沉积（CVD） fokussiert。Gerade disese Integration是指现有的集成技术在西方的集成技术。等离子体cvd -分析[j] .石墨烯与tmd的定性实验。as等离子体CVD Verfahren bietet durch geschickte Wahl geeigneter Gasprekursoren在组合中[m] Plasmaanregung zur Erzeugung benötigter Radikale unvergleichliche Möglichkeiten der materialcomyand der Präzision bei gleichzetiger缺席der thermomischen预算。Das geplante System soline PC-Steuerung和ine Vakuumschleuse（“负载锁”）在污染监测中的应用（prozessfhnung - enthal）。Eine vergleichbare anage ist in Siegen night vorhanden。

Nanoelektronische Bauelemente auf Basis neuartiger zweidimensionaler (2D) Materialien wie zum Beispiel Graphen oder Übergangsmetall-basierte Dichalcogenide (engl. Transition Metal Dichalcogenides, TMDs) werden derzeit intensiv untersucht. Diese Bauelemente können aber nur dann ernsthaft als Alternative zu bestehenden Technologien herangezogen werden, wenn es gelingt die Materialherstellung skalierbar und kompatibel mit existierender Technologie zu beherrschen. Während noch viele Forschergruppen weltweit mit exfolierten (d.h. auf Mikrometerdimensionen limitierten) 2D Materialien arbeiten, hat sich der Ingenieurwissenschaftlich ausgerichtete Lehrstuhl für Graphen-basierte Nanotechnologie auf großflächige Schichten aus chemischen Gasphasendepositionsprozessen(CVD) fokussiert. Gerade diese Integration mit existierender Technologie ist ein wesentliches Alleinstellungsmerkmal der Arbeitsgruppe. Die hier beantragte Plasma CVD-Anlage soll für Experimente zur Herstellung von qualitativ hochwertigem Graphen und TMDs und deren Bauelemente verwendet werden. Das Plasma CVD Verfahren bietet durch geschickte Wahl geeigneter Gasprekursoren in Kombination mit Plasmaanregung zur Erzeugung benötigter Radikale unvergleichliche Möglichkeiten der Materialkomposition und der Präzision bei gleichzeitiger Absenkung der thermischen Budgets. Das geplante System soll eine PC-Steuerung und eine Vakuumschleuse ("Load Lock") zur kontaminationsfreien Prozessführung enthalten. Eine vergleichbare Anlage ist in Siegen nicht vorhanden.