UV-Laser-unterstützte Kristallisationsprozesse elektrokeramischer Dünnschichten auf Silizium-Wafern

硅片上电陶瓷薄膜的紫外激光辅助结晶工艺

• 批准号: 5244790
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Rainer Waser
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik 2
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5244790?language=en
• 关键词: UV; Laser; unterst; tzte; Kristallisationsprozesse

Die Methode der Laser-induzierten Kristallisation oxidkeramischer Dünnschichten befindet sich noch im Stadium der Grundlagenforschung. Daher ist ein umfangreiches analytisches Programm zur Charakterisierung der Schichten vorgesehen, welches später um eine in-situ Analytik des Prozesses erweitert werden soll. Aus den Versuchsergebnissen soll eine Korrelation zwischen den Laserparametern und den Abscheideparametern der Schichten mit den Kristallisationseigenschaften hergestellt werden. Dabei wird der Kristallisationsgrad und die (Finite Element Method)Simulation berechnet. Aus den Ergebnissen soll ein Modell zur Keimbildung und Wachstumskinetik keramischer Dünnschichten bei der Laser-unterstützten Kristallisation abgeleitet werden. Darüber hinaus wird die Information über die Laserkristallisierten Schichten durch begleitende optische und elektrische Charakterisierung wie Impedanzspektroskopie vervollständigt.

激光工业氧化结晶方法研究（英文）：激光工业氧化结晶方法研究（英文）Daher ist in unfangreiches analytisches Programm zur Charakterisierung der Schichten vorgesehen, welches später um eine in situ Analytik des Prozesses erweichten werden soll。在此基础上，研究了激光参数与abscheideparameter之间的关系。大北模具结晶（有限元法）仿真技术。研究了激光结晶与激光结晶的关系，建立了激光结晶与激光结晶的关系。中国科学院激光晶体信息研究所，中国科学院激光晶体信息研究所，中国科学院激光晶体信息研究所，德国激光晶体光学研究所，德国激光晶体光学研究所，德国激光晶体光学研究所，德国电磁光谱研究所vervollständigt。