UV-Laser-unterstützte Kristallisationsprozesse elektrokeramischer Dünnschichten auf Silizium-Wafern

点击翻译按钮获取中文摘要

Die Methode der Laser-induzierten Kristallisation oxidkeramischer Dünnschichten befindet sich noch im Stadium der Grundlagenforschung. Daher ist ein umfangreiches analytisches Programm zur Charakterisierung der Schichten vorgesehen, welches später um eine in-situ Analytik des Prozesses erweitert werden soll. Aus den Versuchsergebnissen soll eine Korrelation zwischen den Laserparametern und den Abscheideparametern der Schichten mit den Kristallisationseigenschaften hergestellt werden. Dabei wird der Kristallisationsgrad und die (Finite Element Method)Simulation berechnet. Aus den Ergebnissen soll ein Modell zur Keimbildung und Wachstumskinetik keramischer Dünnschichten bei der Laser-unterstützten Kristallisation abgeleitet werden. Darüber hinaus wird die Information über die Laserkristallisierten Schichten durch begleitende optische und elektrische Charakterisierung wie Impedanzspektroskopie vervollständigt.