Laser-Lift-Off-Anlage

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Ein Forschungs-Schwerpunkt des Instituts für Halbleitertechnik ist die Herstellung und Charakterisierung von Leuchtdioden für die Beleuchtungstechnik. Hier wird in enger Zusammenarbeit mit der Industrie an der Steigerung der Wirkungsgrade und der Leuchtdichte gearbeitet. Dabei gehört zum Stand der Technik das Ablösen der auf GaN basierenden Bauelemente von dem Saphir-Substrat, auf dem sie zuvor gewachsen wurden. Dazu werden gepulste Hochleistungslaser mit passender Wellenlänge genutzt, die zum Verdampfen einer dünnen Halbleiterschicht nahe am transparenten Substrat und so zum Ablösen der Schichten führt. Insbesondere bei den besonders interessanten dreidimensionalen LED-Strukturen, die aktuell Gegenstand der Forschung sind, gibt es noch keine Erfahrungen zum Einfluss dieses Lift-Off-Prozesses insbesondere auf die optischen Eigenschaften der LEDs. Dieses ist ein Forschungsziel der hier beantragten Laser-Lift-Off-Anlage, die es bisher nicht an der TU Braunschweig gibt.