课题基金 / 基金详情

GaAs epitaxial growth and lift-off from Si using a novel layered compound buffer

GaAs epitaxial growth and lift-off from Si using a novel layered compound buffer
使用新型层状化合物缓冲剂进行 GaAs 外延生长和 Si 剥离
批准号：
18K04963
负责人：
KOJIMA NOBUAKI
金额：
$2.58万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04963/
关键词：
化合物半導体層状化合物エピタキシャル成長結晶成長分子線エピタキシーエピタキシャルリフトオフX線回折結晶欠陥薄層剥離

项目摘要

项目成果

KOJIMA NOBUAKI的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(18)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Mechanical epitaxial lift off of GaAs epitaxial layers by using cleavage of In2Se3 layered structures
利用 In2Se3 层状结构的解理对 GaAs 外延层进行机械外延剥离
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Yu-Cian Wang, Nobuaki Kojima, Kei Kawakatsu, Akio Yamamoto, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi]
通讯作者： Masafumi Yamaguchi
2D-In2Se3を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離
使用 2D-In2Se3 在 Si(111) 上薄层剥离 GaAs 外延层
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [小島 信晃, Wang Yu-Cian, 川勝 桂, 山本 暠勇, 大下 祥雄, 山口 真史]
通讯作者： 山口 真史
Epitaxial GaAs Lift-off from Si(111) Wafer via 2D-GaSe Buffer Layer
通过 2D-GaSe 缓冲层从 Si(111) 晶圆上剥离 GaAs 外延
DOI： --
发表时间： 2020
期刊： Proceedings of the 37th European Photovoltaic Solar Energy Conference
影响因子： --
作者： [Nobuaki Kojima, Yu-Cian Wang, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi]
通讯作者： Masafumi Yamaguchi
Epitaxial GaAs Lift Off via III-VI Layered Compounds
通过 III-VI 层状化合物外延 GaAs 剥离
DOI： --
发表时间： 2019
期刊： Proceedings of the 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
影响因子： --
作者： [Nobuaki Kojima, Yu-Cian Wang, Kei Kawakatsu, Akio Yamamoto, Yoshio ohshita, Masafumi Yamaguchi]
通讯作者： Masafumi Yamaguchi
共 15 条
    Study of novel III-VI buffer layer for GaAs/Si monolithic solar cells
    • 批准号：
      15K05998
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      KOJIMA NOBUAKI
    • 依托单位：
      Toyota Technological Institute
    海外基金