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GaAs epitaxial growth and lift-off from Si using a novel layered compound buffer
使用新型层状化合物缓冲剂进行 GaAs 外延生长和 Si 剥离
基本信息
- 批准号：18K04963
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Mechanical epitaxial lift off of GaAs epitaxial layers by using cleavage of In2Se3 layered structures
利用 In2Se3 层状结构的解理对 GaAs 外延层进行机械外延剥离
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yu-Cian Wang;Nobuaki Kojima;Kei Kawakatsu;Akio Yamamoto;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
2D-In2Se3を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離
使用 2D-In2Se3 在 Si(111) 上薄层剥离 GaAs 外延层
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小島 信晃;Wang Yu-Cian;川勝 桂;山本 暠勇;大下 祥雄;山口 真史
- 通讯作者：山口 真史
Epitaxial GaAs Lift Off via III-VI Layered Compounds
通过 III-VI 层状化合物外延 GaAs 剥离
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nobuaki Kojima;Yu-Cian Wang;Kei Kawakatsu;Akio Yamamoto;Yoshio ohshita;Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
XRD Pole Figure Analysis of In2Se3Zinc-Blende Like (ZBL) Van der Waals Template for Epitaxial GaAs Lift Off
用于外延 GaAs 剥离的 In2Se3Zinc-Blende Like (ZBL) 范德华模板的 XRD 极图分析
- DOI：10.1109/pvsc.2018.8547396
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nobuaki Kojima;Yu-Cian Wang;Kei Kawakatsu;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
Epitaxial GaAs Lift-off from Si(111) Wafer via 2D-GaSe Buffer Layer
通过 2D-GaSe 缓冲层从 Si(111) 晶圆上剥离 GaAs 外延
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nobuaki Kojima;Yu-Cian Wang;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
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