Maskenloser Aligner
无掩模对准器
基本信息
- 批准号:281983040
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Major Research Instrumentation
- 财政年份:2015
- 资助国家:德国
- 起止时间:2014-12-31 至 无数据
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Das beantragte Gerät soll die Infrastruktur des Kirchhoff-Instituts für Physik (KIP) zur Herstellung von Mikrostrukturen im Allgemeinen, speziell aber von Silizium-Photomultipliern, Silizium-basierten Halbleitersensoren, Tieftemperaturteilchendetektoren sowie supraleitenden Quanteninterferenzdetektoren, erweitern. Es besitzt die Eigenschaften eines direktschreibenden Laserlithographen und erlaubt daher die direkte Belichtung der zu strukturierenden Substrate ohne vorherige Herstellung einer Belichtungsmaske. Die Schreibzeiten sind vergleichbar mit den Zeiten, die zur Belichtung eines Substrats mit einem Maskenpositionierer mit vorheriger Maskenausrichtung erforderlich sind; allerdings entfällt die Notwendigkeit der zeit- und kostenintensiven Herstellung von Fotomasken. Dies ermöglicht nicht nur ein Rapid-Prototyping, sondern auch die Verwendung individueller Strukturen, wie zum Beispiel eindeutige Kennzeichnungen, für jedes Substrat. Auch wird es am KIP erstmals die Möglichkeit zur Positionierung von Strukturen auf einem mehr als 2 Zoll großen Substrat bieten und es wird eine Ausrichtung von Strukturen relativ zur Substratrückseite des Substrats (Rückseiten-Alignement) erlauben. Dies ist für die Entwicklung von beidseitig auf einem Substrat aufgebrachten Mikrostrukturen oder für die Entwicklung von Sensor / ASIC Hybridsystemen unabdingbar.
这是基尔霍夫物理研究所(KIP)在一般情况下对微结构进行研究的结果,特别是硅光电倍增管、硅基半导体传感器、温度传感器以及超宽量子干涉测量。这是一种直接的激光平版印刷的特征,并可以直接在结构衬底上印刷一个印刷掩模。该Schreibzeiten sind vergleichbar mit den Zeiten,die zur Belichtung eines Substrats mit einem Maskenpositionierer mit vorheriger Maskenausrichtung erforderlich sind; alldings entfällt die Notwendigkeit der zeit- und kostenintensiven Herstellung von Fotomasken. Dies ermöglicht努尔ein Rapid-Prototyping,sondern auch die Verwendung individueller Strukturen,wie zum Beispiel eindeutige Kennzeichnungen,für jedes Substrat.同样,KIP最初将结构的位置调整到一个梅尔以上的2 Zoll大基板上,并将结构调整到与基板的基板对准(Rückseiten-Alignement)相关的位置。Dies ist für die Entwicklung von beidseitig auf einem Substrat aufgebrachten Mikrostrukturen oder für die Entwicklung von Sensor / ASIC Hybridsystemen unabdingbar.
项目成果
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