Optische Integrationstechnologie auf SOI-Basis

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Dieser Projektvorschlag befasst sich einerseits mit der Entwicklung neuartiger Raman-Laser und der dazu notwendigen Technologien, andererseits mit der Entwicklung einer optischen on-chip Verbindungstechnologie (¿optische Interconnect-Technologie¿). Als Grundlage für die Arbeiten dienen miniaturisierte Rippenwellenleiter mit einer effektiven Modenfläche im Bereich zwischen 1 ¿ 5 µm2. Zur Entwicklung neuartiger, effizienter Raman-Laser werden auf der Basis bekannter Wellenleiterstrukturen neue Konzepte zur verteilten Pumpleistungseinkopplung realisiert. Die Interconnect-Technologie basiert auf einfachen Grundelementen: Gerade Wellenleiter, Umlenkspiegel (¿Verteiler, Koppler, Biegung¿) und abstimmbare Filter und Koppler auf Basis von Gitterstrukturen (¿Schalter, Entzerrer, Filter, Koppler¿). Dabei nutzen Umlenkspiegel und Filter ein einheitliches Wirkprinzip: Ihre Funktions-weise basiert auf dem hohen Brechzahlkontrast zwischen dem lichtführenden Silizium und den umgebenen Claddingmaterialien (Luft, SiO2, Si3N4).