Planare Multichipmodul-Integrationstechnologie für Leistungsanwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich

适用于微波和毫米波功率应用的平面多芯片模块集成技术

• 批准号: 5398411
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Günter Kompa
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Nanostrukturtechnologie und Analytik (INA)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5398411?language=en
• 关键词: Planare; Multichipmodul; Integrationstechnologie; Leistungsanwendungen; im

Das Vorhaben verfolgt eine quasi-monolithische Integrationstechnologie, die es erlaubt, aktive Bauelemente auf unterschiedlicher Materialbasis störungsarm in den passiven Teil einer Mikrowellen- oder Millimeterwellenschaltung auf hochohmigem kristallinem Siliziumsubstrat zu integrieren. Bisher ungelöst ist die zuverlässige planare Integration von Leistungstransistoren. Das bisher verfolgte Integrationskonzept der Chipfixierung mit einem Epoxykleber in einer eng tolerierten nasschemisch geätzten Grube in Siliziummaterial und der elektrischen Kontaktierung mittels Luftbrückentechnik stößt an thermische und fertigungstechnische Grenzen. Es wird daher ein neuartiges Integrationskonzept vorgeschlagen, bei dem die aktiven Bauelemente mit Hilfe von amorphem Silizium in der Substratöffnung fixiert werden. Eine vorderseitig aufgebrachte Polyamidschicht gleicht geringe Höhendifferenzen von Chip zur Substratoberfläche aus und dient gleichzeitig als Substratträger für die planare Leitungsstruktur. Da die elektrische Kontaktierung ohne Luftbrückentechnik erfolgt, können quasi-monolithische Schaltkreise in der Zukunft auch in Mehrlagentechnik ohne großen fertigungstechnischen Aufwand kostengünstig realisiert werden.

Das Vorhaben verfolt eine quasi-monolithische Integrationstechnologie, die es es erlaubt, active Bauelemente auf unterschiedlicher Materialbasis störungsarm in den Passen Teil einer Mikrowellen- oder Millimeterwellenschaltung auf hochohmigem kristallinem Siliziumsubstrat zu 整合。 Bisher ungelöst ist die zuverlässige planare Integration von Leistungstransistoren。 Das bisher verfolgte Integrationskonzept der Chipfixierung mit einem Epoxykleber in einer eng tolerierten nasschemisch geätzten Grube in Siliziummaterial und der elektrischen Kontaktierung mittels Luftbrückentechnik stößt anthermische und fertigungstechnische Grenzen.在新的集成概念中，将活动的组件与固定在底层的硅质材料结合起来。 Polyamidschicht gleicht geringe Höhendifferenzen von Chip zur Substratoberfläche aus and dient gleichzeitig als Substratträger für die planare Leitungsstruktur.航空设备技术中的电气控制系统，是在未来的未来技术中的准整体式安全技术，并且是在未来的发展中实现的。

项目成果

Heat transfer improvement in quasi-monolithic integration technology

准单片集成技术的传热改进

• DOI: 10.1117/1.2008968
• 发表时间: 2005
• 期刊: Journal of Micro-nanolithography Mems and Moems
• 影响因子: 2
• 作者: Mojtaba Joodaki;Gunter Kompa;Hartmut Hillmer;Rainer Kassing
• 通讯作者: Rainer Kassing