课题基金 / 基金详情

Planare Multichipmodul-Integrationstechnologie für Leistungsanwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich

Planare Multichipmodul-Integrationstechnologie für Leistungsanwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich
适用于微波和毫米波功率应用的平面多芯片模块集成技术
批准号:
5398411
负责人:
Professor Dr.-Ing. Günter Kompa
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2003
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2002-12-31 至 2009-12-31

项目摘要

项目成果

Professor Dr.-Ing. Günter Kompa的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
这是一种准整体式的集成技术,提供了一种新的、灵活的材料基础。Bisher unGelöst is die zuverlässige plan are集成von Leistungstransistoren.Chipfixierung MIT einem Epoxykleber中的Das Bisher verfolgte Integrationskonzept de Chipfixierung MIT einem Epoxykleber in einer Eng Enderierten nassChemisch ge?tzten Grube in Silizium材料and elektrischen Kontaktierung mittels Luftbrück entechnik stötels t a thermische and fertiggstechnische Grizen。它是一种新的物质集成,是一种新的非晶质材料,是一种材料。这是一种新型的材料,它是一种新型的材料,也是一种材料。在Mehrlagentechnik o hrlagentechnik ohne groúen fertiwarggstechnischen Aufwand kostengünstig realisiert中,您可以选择以下内容:
英文摘要
Das Vorhaben verfolgt eine quasi-monolithische Integrationstechnologie, die es erlaubt, aktive Bauelemente auf unterschiedlicher Materialbasis störungsarm in den passiven Teil einer Mikrowellen- oder Millimeterwellenschaltung auf hochohmigem kristallinem Siliziumsubstrat zu integrieren. Bisher ungelöst ist die zuverlässige planare Integration von Leistungstransistoren. Das bisher verfolgte Integrationskonzept der Chipfixierung mit einem Epoxykleber in einer eng tolerierten nasschemisch geätzten Grube in Siliziummaterial und der elektrischen Kontaktierung mittels Luftbrückentechnik stößt an thermische und fertigungstechnische Grenzen. Es wird daher ein neuartiges Integrationskonzept vorgeschlagen, bei dem die aktiven Bauelemente mit Hilfe von amorphem Silizium in der Substratöffnung fixiert werden. Eine vorderseitig aufgebrachte Polyamidschicht gleicht geringe Höhendifferenzen von Chip zur Substratoberfläche aus und dient gleichzeitig als Substratträger für die planare Leitungsstruktur. Da die elektrische Kontaktierung ohne Luftbrückentechnik erfolgt, können quasi-monolithische Schaltkreise in der Zukunft auch in Mehrlagentechnik ohne großen fertigungstechnischen Aufwand kostengünstig realisiert werden.
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1117/1.2008968
发表时间: 2005
期刊: Journal of Micro-nanolithography Mems and Moems
影响因子: 2
作者: [Mojtaba Joodaki, Gunter Kompa, Hartmut Hillmer, Rainer Kassing]
通讯作者: Rainer Kassing
Analysis of IMD sweet-spots in microwave field-effect transistors for improved linearity of power amplifiers for UMTS application
  • 批准号:
    30020003
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Günter Kompa
  • 依托单位: