Planare Multichipmodul-Integrationstechnologie für Leistungsanwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich

Das Vorhaben verfolgt eine quasi-monolithische Integrationtechnologie，die es erlaubt，active Bauelemente auf untermandlicher Materialbasis störungsarm in den passiven Teil einer Mikrowellen- oder Millimeterwellenschaltung auf hochohmigem kristallinem Siliziumsubstrat zu integrieren. Bisher ungelöst ist die zuverläsplanare Integration von Leistungtranssistoren. Das bisher verfolgte Integrationskonzept der Chipfixierung mit einem Epoxykleber in einer eng tolerierten nasschemisch geätzten Grube in Siliziummaterial and der elektrischen Kontaktierung mittels Luftbrückentechnik stößt an thermische und fertigungtechnische Grenzen.这将是一个新的集成电路，在韦尔登中使用无定形硅的有源元件。Eine vorderseitig aufgebrachte Polyamidschicht gleicht geringe Höhendifferenzen von Chip zur Substratoberfläche aus und dient gleichzeitig als Substratträger für die planare Leitungsstruktur.随着电气连接技术的发展，准整体式Schaltkreise在Zukunft中也在Mehrlagentechnik中实现了大规模的技术开发和成本韦尔登。

Das Vorhaben verfolgt eine quasi-monolithische Integrationstechnologie, die es erlaubt, aktive Bauelemente auf unterschiedlicher Materialbasis störungsarm in den passiven Teil einer Mikrowellen- oder Millimeterwellenschaltung auf hochohmigem kristallinem Siliziumsubstrat zu integrieren. Bisher ungelöst ist die zuverlässige planare Integration von Leistungstransistoren. Das bisher verfolgte Integrationskonzept der Chipfixierung mit einem Epoxykleber in einer eng tolerierten nasschemisch geätzten Grube in Siliziummaterial und der elektrischen Kontaktierung mittels Luftbrückentechnik stößt an thermische und fertigungstechnische Grenzen. Es wird daher ein neuartiges Integrationskonzept vorgeschlagen, bei dem die aktiven Bauelemente mit Hilfe von amorphem Silizium in der Substratöffnung fixiert werden. Eine vorderseitig aufgebrachte Polyamidschicht gleicht geringe Höhendifferenzen von Chip zur Substratoberfläche aus und dient gleichzeitig als Substratträger für die planare Leitungsstruktur. Da die elektrische Kontaktierung ohne Luftbrückentechnik erfolgt, können quasi-monolithische Schaltkreise in der Zukunft auch in Mehrlagentechnik ohne großen fertigungstechnischen Aufwand kostengünstig realisiert werden.