Planare Multichipmodul-Integrationstechnologie für Leistungsanwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich
Planare Multichipmodul-Integrationstechnologie für Leistungsanwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich
批准号:
5398411
负责人:
Professor Dr.-Ing. Günter Kompa
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2003
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2002-12-31 至 2009-12-31
中文摘要
研究了准单片集成技术(准单片集成技术)、非晶片集成技术(非晶片集成技术)、非晶片集成技术(非晶片集成技术)、非晶片集成技术(非晶片集成技术)、非晶片集成技术(非晶片集成技术)、非晶片集成技术(非晶片集成技术)、非晶片集成技术。Bisher ungelöst ist die zuverlässige planare Integration von leistungstristoreren。在德国,集成电路与芯片技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术与集成电路技术。他的父亲在neutiges Integrationskonzept vorgeschlagen, bedem die aktiven Bauelemente mit hilife von amorphem Silizium in der Substratöffnung固定的werden。Eine vorderseitig aufgebrachte Polyamidschicht gleicht geringe Höhendifferenzen von Chip zur Substratoberfläche和dient gleichzetig als Substratträger fr die planare leitungsstrucktur。1 .德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国
英文摘要
Das Vorhaben verfolgt eine quasi-monolithische Integrationstechnologie, die es erlaubt, aktive Bauelemente auf unterschiedlicher Materialbasis störungsarm in den passiven Teil einer Mikrowellen- oder Millimeterwellenschaltung auf hochohmigem kristallinem Siliziumsubstrat zu integrieren. Bisher ungelöst ist die zuverlässige planare Integration von Leistungstransistoren. Das bisher verfolgte Integrationskonzept der Chipfixierung mit einem Epoxykleber in einer eng tolerierten nasschemisch geätzten Grube in Siliziummaterial und der elektrischen Kontaktierung mittels Luftbrückentechnik stößt an thermische und fertigungstechnische Grenzen. Es wird daher ein neuartiges Integrationskonzept vorgeschlagen, bei dem die aktiven Bauelemente mit Hilfe von amorphem Silizium in der Substratöffnung fixiert werden. Eine vorderseitig aufgebrachte Polyamidschicht gleicht geringe Höhendifferenzen von Chip zur Substratoberfläche aus und dient gleichzeitig als Substratträger für die planare Leitungsstruktur. Da die elektrische Kontaktierung ohne Luftbrückentechnik erfolgt, können quasi-monolithische Schaltkreise in der Zukunft auch in Mehrlagentechnik ohne großen fertigungstechnischen Aufwand kostengünstig realisiert werden.
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科研奖励(0)
会议论文
DOI:
10.1117/1.2008968
发表时间:
2005
期刊:
Journal of Micro-nanolithography Mems and Moems
影响因子:
2
作者:
[Mojtaba Joodaki, Gunter Kompa, Hartmut Hillmer, Rainer Kassing]
通讯作者:
Rainer Kassing
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批准号:30020003
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2006
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负责人:Professor Dr.-Ing. Günter Kompa
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依托单位: