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Creation of Innovative Energy Storage Devices Using Atomic Layer Technology

使用原子层技术创建创新的能量存储设备

基本信息

批准号：
21H05015
负责人：
長田実
金额：
$ 122.72万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-07-05 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

本研究では、次世代蓄電デバイスの開発を目指した新たな試みとして、酸化物原子膜「ナノシート」をベースとする革新的誘電材料・デバイスの開発を行う。本年度は、原子膜の材料開発、集積・デバイスにかかわる多角的な検討を行った。材料面では、高誘電性ペロブスカイトナノシート（Ca2Nam-3NbmO3m+1; m = 3~6）（εr = 210~470）をベースに、第一原理計算を援用した材料設計により特性制御を実現し、Ti, Bi置換体において、当初目標値を上回る高誘電率（> 1000）を有する新規材料の開発に成功した。これにより、蓄電デバイスに好適な高誘電率（> 800）と高耐電圧（> 4 MV/cm）を併せ持つ新規材料の利用が可能となり、蓄電デバイスの高エネルギー化に向けた道筋が拓けた。さらに、典型誘電体におけるナノシート技術の適用や電極ナノシートの開発を目指し、ボトムアップ合成技術による非層状材料のナノシート化に挑戦した。その結果、BaTiO3強誘電体原子膜、高絶縁性アモルファスシリカ、白金ナノシートの精密合成など、材料合成、機能開拓において当初の研究計画において予見していなかった新たな展開がみられた。他方、デバイス面では、Ca2Nam-3NbmO3m+1ナノシートのキャパシタを作製し、蓄電デバイスの特性評価を実施した。その結果、ナノシートキャパシタでは、高誘電率化と高耐電圧化が同時に実現し、従来の高誘電体、強誘電体薄膜で到達困難な高エネルギー密度（150~270 J/cm3）を実現した。以上の研究を通し、蓄電キャパシタの開発におけるナノシート技術の有効性を確認した。さらに、蓄電デバイス製造に向けた集積加工、デバイス技術の開発も進め、高速自動製膜、ダメージフリーリソグラフィーなどの周辺技術も充実させ、２次元材料分野の発展に貢献した。

This study is aimed at the development of next-generation power storage devices. It is a new attempt to develop an innovative inductive material for power storage devices. This year, the atomic film material development, integration, and multi-angle research and development The development of new materials with high dielectric constant (Ca2Nam-3NbmO3 m+1; m = 3~6)(εr = 210~470) was successfully carried out by applying first-principle calculations to the design of materials with high dielectric constant (> 1000). The high dielectric constant (> 800) and high dielectric constant (> 4 MV/cm) of the storage device are suitable for the use of new materials. In addition, the development of electrode materials suitable for typical inductor technology and the development of non-layered materials suitable for typical inductor synthesis technology are indicated. The results of BaTiO3 ferroelectric atomic film, high dielectric properties, platinum, fine synthesis, material synthesis, functional development, and research projects have been developed. The other side, the surface, Ca2Nam-3NbmO3m+1, the surface, the storage surface and the characteristic evaluation are carried out. As a result, high dielectric constant and high voltage resistance can be achieved simultaneously, and it is difficult to achieve high dielectric constant density (150~270 J/cm3) in high dielectric and high dielectric films. The above research is to confirm the effectiveness of the power storage technology. In addition, the development of power storage technology, high-speed automatic film production, high-speed film production, high-speed film production